n-Ga_(1-x)Al_xAs的能带结构和Hall迁移率

dc.contributor.author	黄美纯
dc.date.accessioned	2011-06-29T01:55:39Z
dc.date.available	2011-06-29T01:55:39Z
dc.date.issued	1981-03
dc.identifier.citation	发光学报，1981（1）：1-10	zh_CN
dc.identifier.issn	1000-7032
dc.identifier.uri	https://dspace.xmu.edu.cn/handle/2288/9871
dc.description.abstract	【中文摘要】本文提出一种分析三元半导体合金霍尔迁移率随组分变化的半经验方法。详细描述了GaAlAs电子迁移率变化与能带结构的关系。在导带Γ-L-X三能谷模型的基础上,引进能谷迁移率内插法,给出了霍尔迁移率随组分变化的理论公式,对GaAlAs进行具体计算发现同现有的实验结果符合得很好。理论曲线与实验的拟合采用L带电子迁移率作为可调参数。研究表明,至今了解很少的L带迁移率在1200～600cm~2/v·s之间变化,同时确认,在0.15	zh_CN
dc.language.iso	zh	zh_CN
dc.publisher	《发光学报》编辑部	zh_CN
dc.title	n-Ga_(1-x)Al_xAs的能带结构和Hall迁移率	zh_CN
dc.type	Article	zh_CN