不同应变状态下超晶格InAs／GaAs的电子结构

Abstract

【中文摘要】 采用内部求和空ｄ轨道处理下的线性丸盒轨道方法，对以ＩｎＡｓ为衬底和以ＧａＡｓ为衬底以及ＩｎＡｓ层和ＧａＡｓ层自由形变三种不同的应变状态下的超晶格（ＩｎＡｓ）ｎ／（ＧａＡｓ）ｎ（００ｌ），（ｎ＝１，２，３，４，５）的电子结构进行了全面的第一性原理计算，得出了其能带结构、带隙值及态密度分布，考察了各能隙随层厚的变化规律以及带隙的应变效应，所得结果与光致发光实验数据以及从头计算赝势方法对以ＧａＡｓ为衬底的单层超晶格（ＩｎＡ）１／（ＧａＡｓ）１的计算结果相一致． 【英文摘要】 Report ab inltio studies on the electrdnic structures of strained-layer superlat-tices(SLS’s)(InAs)_n/(GaAs)_n/(00l), (n=1～5)under three different strain conditions:grownepitaxially on an InAs-substrate;grown epitaxially on a GaAs-substrate and free-standing mode,by making use of the linearized-muffin-tin-orbitals band structure method within an internalsummation approach for empty d orHtals. The dependence of the energy gaps at the high sym-metry points in Brillouin zone on layer thickness,and the strain e...