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    • 一种获得纳米间隙电极的接触光刻方法 

      张玉龙; 张艳; 蒋书森 (2013-08-15)
      提出一种称之为“阵列误差光刻“的方法。采用两次接触光刻和两次金属剥离工艺,形成两组顶端相对的电极阵列,利用第二次接触光刻时的对准误差,在这两组电极之间按照概率分布形成了一个最小的纳米间隙。设计并制作了一种含有16对电极的验证器件,按照光刻对准误差的范围为±2.0μM进行估算,理论上最小间隙的分布范围为0~150 nM。通过扫描电镜测量实际制造的样品,获得了大量50 nM以下的电极对,最小间隙为16.6 nM,并且制备的电极层厚度可以达到200 ...