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    • 掺铝Co_3O_4的制备及其电容性能研究 

      葛鑫; 陈野; 张春霞; 舒畅; GE Xin; CHEN Ye; ZHANG Chun-xia; SHU Chang (厦门大学《电化学》编辑部, 2007-08-28)
      以KOH作沉淀剂制备掺杂Al(Ⅲ)的Co3O4粉体.X射线衍射显示,掺Al的Co3O4不改变其晶型结构.循环伏安、恒流充放电等测试表明,化学掺Al后的Co3O4电极,其比容量提高,当Co(Ⅱ)与Al(Ⅲ)的摩尔比为1∶0.05时,在0~400 mV的电位区间内,5 mA/cm2电流密度下,单电极放电比容量可达518.07 F/g.