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    • 预处理对多孔硅形成过程的影响(英文) 

      程璇; 罗广丰; CHENG Xuan; LUO Guang_feng (厦门大学《电化学》编辑部, 2002-05-28)
      本工作初步探讨了开路电位下对硅片进行预处理时多孔硅的形成过程 .电化学极化实验、扫描电镜和拉曼谱学的研究表明 ,预处理可以加速硅 /溶液界面上的化学或电化学反应 ,从而加快多孔硅的生长过程 ,最终导致光致发光的光谱红移 .多孔硅的厚度随预处理时间的增长而减小