本文采用XPS ,SEM ,XRD和电化学充放电测试研究了硼掺杂的中间相碳素微球 (MCMB)的结构和性能 .结果表明掺杂硼提高了MCMB的石墨化程度和晶粒尺寸 ,极大地改变了MCMB的形貌 .电化学充放电实验说明硼掺杂的中间相碳素微球嵌锂过程处于较高的电位 ,并有较大的不可逆容量

应用XRD、SEM、循环伏安法 (CV)等测试手段研究了钙对氮化钼膜电极性能的影响 .结果表明 ,采用浸渍_煅烧法制备电极 ,浸渍液中添加剂的量对电极电化学性能的影响显著 ;当添加剂的量为最佳值时 ,电极的比电容约为不加添加剂制备之电极的 2 .1倍 ,工作电势拓宽了 0 .11V .钙对γ_Mo2 N膜电极电化学性能的影响机理可认为是电极新生物质CaxNy、晶粒规整化和电极活性物质吸附能力增强这三种因素的协同作用

利用循环伏安法测试了 3种新合成的C60 膦酸酯衍生物的电化学性能 .通过比较不同取代基的C60 衍生物的电化学性能 ,研究引入基团的结构特性与其得电子能力之间的关系