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    • PCB酸性蚀刻液中缓蚀剂对厚铜线路制作的影响 

      王小丽; 何为; 陈先明; 曾红; 苏元章; 王翀; 李高升; 黄本霞; 冯磊; 黄高; 陈苑明; Xiao-Li Wang; Wei He; Xian-Ming Chen; Hong Zeng; Yuan-Zhang Su; Chong Wang; Gao-Sheng Li; Ben-Xia Huang; Lei Feng; Gao Huang; Yuan-Ming Chen (《电化学》编辑部, 2022-07-28)
      以2-巯基苯并噻唑(2-MBT)、 苯并三氮唑(BTA)和苯氧基乙醇(MSDS)作为缓蚀剂, 研究了其加入在酸性蚀刻液后对PCB厚铜线路的缓蚀效果。通过接触角测试、电化学测试和蚀刻因子得出缓蚀状态,并结合扫描电子显微镜观察铜表面形貌。通过分子动力学计算和量子化学模拟分析缓蚀剂在铜表面的吸附机理。结果表明,2-MBT + MSDS与BTA + MSDS的分子结构可有效地平行吸附在铜表面,且吸附能高于单一缓蚀剂。加入了2-MBT + ...
    • 硅通孔内铜电沉积填充机理研究进展 

      孙云娜; 吴永进; 谢东东; 蔡涵; 王艳; 丁桂甫; Yun-Na Sun; Yong-Jin Wu; Dong-Dong Xie; Han Cai; Yan Wang; Gui-Fu Ding (《电化学》编辑部, 2022-07-28)
      上海交通大学多元兼容集成制造技术团队针对TSV互连的深孔填充电镀难题, 借助有限元软件和任意拉格朗日-欧拉算法, 完成了方程组的数值解算, 实现了TSV填充模式的数值仿真。利用有限元和任意拉格朗日-欧拉算法分析了盲孔的填充机制, 通孔的蝴蝶形式的电镀填充过程, 以及不同深宽比孔的同时填充模式,并利用仿真数据进行了样品的研制及参数优化。分析了电镀的电流密度和热处理温度对电镀填充TSV-Cu的力学属性的影响。通过原位压缩试验研究了电流密度对 ...
    • 孔雀石绿对金属钴超填充和成核过程的影响 

      马晓川; 李亚强; 杨培霞; 张锦秋; 安茂忠; Xiao-Chuan Ma; Ya-Qiang Li; Pei-Xia Yang; Jin-Qiu Zhang; Mao-Zhong An (《电化学》编辑部, 2022-06-28)
      随着芯片制程低于7 nm,互连线后端填充的铜线电阻急剧增加,而平均自由程更低的金属钴(Co)可以用来取代铜,以减少由外表面和晶界处发生的散射导致的线电阻增长。在此选用硫酸钴(CoSO4)作为主盐,硼酸为缓冲剂,以孔雀石绿(MG)为抑制剂进行研究。通过电化学伏安法测试,发现随着MG浓度的增加,金属Co的沉积过电势逐渐增加,沉积受到抑制。利用电化学石英晶体微天平(EQCM)测试得出,MG的加入对整个沉积过程产生明显的抑制作用。这是因为MG容 ...
    • 芯片钴互连及其超填充电镀技术的研究进展 

      魏丽君; 周紫晗; 吴蕴雯; 李明; 王溯; Li-Jun Wei; Zi-Han Zhou; Yun-Wen Wu; Ming Li; Su Wang (《电化学》编辑部, 2022-06-28)
      芯片中的钴互连作为铜互连之后的下一代互连技术受到了业界的极大关注,且已经引入集成电路7 nm以下的制程。钴互连主要采用湿法的电化学沉积技术,但由于保密原因和研究条件的限制,其研究报道不多。本文基于现有专利、文献报道较系统地介绍了钴互连技术的优势及发展现状,并从溶液化学和电化学角度综述了钴互连电镀基本工艺、基础镀液组成与添加剂、超填充电镀机理,以及镀层退火控制与杂质影响等的研究现状,并对钴互连技术下一步研究进行了展望。
    • 高深径比通孔脉冲电镀添加剂及电镀参数的优化 

      杨凯; 陈际达; 陈世金; 许伟廉; 郭茂桂; 廖金超; 吴熷坤; Kai Yang; Ji-Da Chen; Shi-Jin Chen; Wei-Lian Xu; Mao-Gui Guo; Jin-Chao Liao; Zeng-Kun Wu (《电化学》编辑部, 2022-06-28)
      本文采用毒性小,价格低廉的2, 2′-二硫代二吡啶(2, 2′-Dithiodipyridine,DTDP)作为通孔电镀铜添加剂,对添加剂体系的浓度及脉冲电镀参数进行了优化。首先,对DTDP能否在高深径比通孔脉冲电镀过程中起到整平作用进行探究,并对包含其在内的四种添加剂的浓度进行正交优化,得到了当电镀效果较好时的最优添加剂浓度,但是该条件电镀后的通孔呈“狗骨状”。其次再利用正交优化后的电镀液,采用单因素分析法对脉冲电镀参数进行优化,得出 ...
    • 低电压电沉积类金刚石碳膜的研究 

      王历; 吴敏娴; 李珺; 陈艳丽; 王文昌; 陈智栋; Li Wang; Min-Xian Wu; Jun Li; Yan-Li Chen; Wen-Chang Wang; Zhi-Dong Chen (《电化学》编辑部, 2022-06-28)
      采用电化学沉积法,在较低电压下(4.0 ~ 8.0 V)以甲酸作为主要碳源,甲酸钠作为辅助碳源,二甲基亚砜与去离子水作为溶剂,在不锈钢表面制备了类金刚石碳薄膜,研究了沉积电压对碳膜形貌和成分的影响。电化学沉积含氢类金刚石碳薄膜致密、均匀, 膜的电导率与沉积电压呈负相关关系,电导率介于金属与半导体之间。拉曼光谱在1332 cm-1处出现金刚石的特征峰,sp3碳成分随沉积电压的增加而增加。傅里叶红外变换光谱显示沉积的类金刚石碳膜为含氢碳膜。X射线 ...
    • Sn-Ag-Cu三元合金焊料电沉积中添加剂的影响研究 

      缪桦; 李明瑞; 邹文中; 周国云; 王守绪; 叶晓菁; 朱凯; Hua Miao; Ming-Rui Li; Wen-Zhong Zou; Guo-Yun Zou; Shou-Xu Wang; Xiao-Jing Ye; Kai Zhu (《电化学》编辑部, 2022-06-28)
      Sn-Ag-Cu三元合金是目前最为理想的Sn-Pb合金替代品,采用电沉积的方法来制备Sn-Ag-Cu三元合金,具有生产效率高、设备简单、维护方便、镀层性能优良等优点。通过霍尔槽实验确定了电镀液的配位体系;通过微观形貌表征、电化学腐蚀测试以及阴极极化曲线测试,确定了镀液中使用的光亮剂种类及二者的比例;通过微观形貌表征的方法,确定了电镀液中的分散剂;通过测定镀液中Sn2+离子的浓度变化,确定了镀液中的稳定剂。结果表明,当使用柠檬酸铵和硫脲作 ...
    • 醇硫基丙烷磺酸钠对电解高性能锂电铜箔的影响 

      杨森; 王文昌; 张然; 秦水平; 吴敏娴; 光崎尚利; 陈智栋; Sen Yang; Wen-Chang Wang; Ran Zhang; Shui-Ping Qin; Min-Xian Wu; Naotoshi Mitsuzaki; Zhi-Dong Chen (《电化学》编辑部, 2022-06-28)
      电解铜箔因其工艺简单、经济价值高,已广泛应用于印制线路板和锂离子电池领域。研究表明在电解制箔过程中,加入微量添加剂即可大幅度提高电解铜箔性能。因此, 在基础电解液(312.5 g·L-1 CuSO4·5H2O,100 g·L-1 H2SO4, 50 mg·L-1 Cl-)基础上,加入添加剂考察了电解液的电化学行为以及对铜箔表面形貌、结构以及性能的影响。实验选取了醇硫基丙烷磺酸钠(HP)、 水解蛋白(HVP)和N,N-二甲基硫代甲酰胺丙烷 ...
    • 蚀刻引线框架用的弱碱性无氰镀银工艺的研究 

      赵健伟; 朱海锋; 于晓辉; 袁桂云; 孙志; Jian-Wei Zhao; Hai-Feng Zhu; Xiao-Hui Yu; Gui-Yun Yuan; Zhi Sun (《电化学》编辑部, 2022-06-28)
      蚀刻引线框架作为集成电路芯片载体的新发展方向,近年来在微电子行业逐步得到应用。由于蚀刻引线框架在制备中需要用到多层具有特定图形的非耐碱的光刻胶膜,而传统的氰化镀银无法满足这一工艺需求,因此发展弱碱性的无氰镀银工艺具有极大应用价值。本文研究了基于5,5-二甲基乙内酰脲(DMH)无氰镀银体系的弱碱性镀银工艺,利用循环伏安法和计时电流法考察了该体系的电沉积行为与银结晶的成核机理;通过改变系列工艺条件确定的该工艺的有效工作窗口;并在优化的工艺条 ...
    • 钴互连化学机械抛光浆料中的界面腐蚀行为研究 

      秦凯旋; 常鹏飞; 黄钰林; 李明; 杭弢; Kai-Xuan Qin; Peng-Fei Chang; Yu-Lin Huang; Ming Li; Tao Hang (《电化学》编辑部, 2022-06-28)
      芯片互连层进行化学机械抛光(CMP)时,抛光液对互连金属的腐蚀问题是影响抛光后表面质量的重要因素。本文在含有氧化剂过硫酸钾(KPS)、 络合剂甘氨酸(Gly)和缓蚀剂苯骈三氮唑(BTA)的抛光液体系中,对互连金属钴的界面腐蚀行为进行了研究。结果显示, 强氧化剂KPS在互连层抛光液中并不能使钴表面形成稳定钝化,需要进一步引入BTA以抑制过度腐蚀。静态腐蚀实验和扫描电子显微镜观察显示, BTA能有效地降低钴在抛光液中的腐蚀,提高表面质量,电 ...