用自制的电化学扫描隧道显微镜（ＥＣＳＴＭ）现场研究Ｃｕ在ＨＯＰＧ上的电沉积过程．结果表明Ｃｕ在ＨＯＰＧ上的电沉积为三维成核的过程．当电位较低或Ｃｕ２＋离子浓度较低时，铜在本体金属生长主要沿着台阶方向．过电位较高时，铜的成核数目增加，沉积层的晶粒有所细化．同时，非现场ＥＣＳＴＭ比较研究表明，ＳＴＭ针尖对针尖局部区域的电沉积起屏蔽作用，针尖所在区域Ｃｕ的沉积速度比其它区域明显减小

在铅的薄层电沉积生长中,铅的枝晶沉积物由于氢气的扰动从阴极断裂.断裂的沉积物片段并非在薄层电解槽中保持不动,而是自发地朝阳极方向快速运动.研究表明,这种奇特的现象是由断裂沉积物两端发生的共轭溶解-沉积反应造成的.本文讨论了这种现象产生的机制.

采用恒电流和恒电位技术，以及路易斯酸氯化铝(III)-1-乙基-3-甲基咪唑氯化物离子液体中添加氯化镁(II)，室温下在铂和铜阴极表面电沉积制备了铝-镁合金. 合金层中镁的含量随离子液体中氯化镁浓度和所施加的阴极电流密度的增加而增加. 采用X-射线衍射谱(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和能量散射X-射线谱(EDAX)技术，研究了不同电沉积实验条件得到的电沉积层的晶体结构及表面形貌. 增加沉积电流密度，可以制备出致密、光亮和结合力良好的电沉积层. ...

采用旋转圆盘电极、双脉冲电位法从单一的含有铜离子和钴离子的镀液中电沉积Ｃｕ－Ｃｏ纳米多层膜、并用ＴＥＭ．ＡＥＳ和Ｘ－射线衍射研究镀层的形貌和组成。结果表明：多层膜结构为纯铜和含有少量铜的铜钴合金层交替组成，铜在钴层中的含量，随镀液中的铜含量的增大和转速的提高而提高。

在电沉积过程中采用超声波振荡技术，选择最佳条件可制备牢固高活性钛镀铂电极．超声波振荡技术改善了镀层与基底的粘结力．电极活性与双层电容有关，并归因于表面粗糙度．

本文提出一种电沉积光亮锡钴锌三元合金的新工艺．其溶液组成及操作条件为：Ｎａ３Ｃ６Ｈ５Ｏ７·２Ｈ２Ｏ１００～１５０，Ｎａ２ＥＤＴＡ·２Ｈ２Ｏ２０～３０，ＳｎＣｌ２·２Ｈ２Ｏ１５～２０，ＣｏＳＯ４·７Ｈ２Ｏ２５～３５，ＺｎＣｌ２１５～２０ｇ·Ｌ－１；稳定剂ＷＤＺ－１６０～１００，光亮剂ＷＤＺ－２１５～２０ｍＬ·Ｌ－１．ｐＨ＝４～６，Ｄｋ＝０．５５．０Ａ·ｄｍ－２，Ｔ＝５～３５℃．在此条件下可得到光亮的含Ｃｏ为０．５～３．５％、Ｚｎ为１～１０ ...

采用化学预镀、电沉积、热处理工艺制备了厚度均匀、孔隙率高，具有较好抗拉强度和韧性的泡沫镍材料。报道了电化学方法制备泡沫镍的工艺技术和操作条件。

采用动电位扫描、循环伏安以及电化学交流阻抗等方法研究了铜钴纳米多层膜的电沉积机理．结果表明：在所研究的体系中，铜的沉积是扩散控制的可逆电极过程，而钴的沉积是首先形成Ｃｏ（ＯＨ）ａｄｓ的吸附中间产物，而后在电极上进一步还原为原子态．基于研究结果，提出了铜钴沉积的机制．

在密封的电池体系中（即贫液状态），包铜储氢合金电极具有较好的抗氧化能力；而在强碱性溶液中（即富液状态），铜在电极工作的电位范围内（－１．１～－０．４Ｖ）具有一定的稳定性，但当扩展扫描范围（－１．１～－０．２Ｖ），将出现铜的氧化还原反应．随着充放电循环的进行，铜被氧化成Ｃｕ２Ｏ，进而形成ＣｕＯ２－２进入电解质（ＫＯＨ）溶液中，充电时又以Ｃｕ的形式于电极表面析出．针对这一现象，本文利用电位阶跃实验研究了ＣｕＯ２－２离子在镍电极上的电沉积过程 ...

采用直流电镀方法，研究了氯化铵体系的Ｚｎ－Ｎｉ合金共沉积过程的电化学行为以及相随的析氢规律．在外加２Ａ／ｄｍ２阴极电流下，测定电极的交流阻抗谱，提出Ｚｎ－Ｎｉ共沉积过程等效电路模型