采用恒电流和恒电位方法，基于含有氯化铜溶液的乙二醇-氯化胆碱或硫脲-氯化胆碱离子液体，室温下在钢阴极上进行了铜的电沉积. 利用扫描电子显微镜和X-射线衍射技术研究了各种实验条件对电沉积的影响以及沉积层的形貌. 结果表明，室温下施加不超过-0.45 V的沉积电位和不超过-4.0 A·m-2的沉积电流密度，可以同时从氯化胆碱基乙二醇和硫脲离子液体中沉积得到非常光滑、有光泽、致密且具有良好结合力、色泽鲜艳的铜金属涂层. ...

　将刻有微沟道的芯片固定在旋转圆盘电极上,在旋转对流条件下于微沟道中电沉积铜.微沟道深度为1μm,宽度分别为0.35μm,0.50μm,0.70μm.研究了芯片的旋转、电流密度以及Cu2+浓度等对微沟道中铜沉积的影响.实验表明,在旋转对流传质下,铜在微沟道中的沉积速率比静止芯片时的约快2～3倍.较低的Cu2+浓度和适中的沉积电流密度更有利于超等厚沉积的形成.

在以次亚磷酸钠为还原剂 ,硼酸为缓冲剂和柠檬酸钠为络合剂的碱性介质中 ,研究了镍_铁_磷合金化学沉积条件 (pH值 ,温度及 [Fe2 + ]/([Ni2 + ]+[Fe2 + ])物质的量比 )对沉积速率和镀层组成的影响 ;并由此建立镀液稳定的最佳沉积工艺 .实验表明 ,镀液中硫酸亚铁对沉积镍_铁_磷合金有阻碍作用 (降低了化学沉积速率 ) ,造成镀层中铁含量不高 (小于 2 0 % ) ,使用循环伏安技术研究了镍_铁_磷合金的电沉积机理 ...

　应用电化学扫描隧道显微镜(ECSTM)研究了PdSO4溶液中Au(111)电极表面Pd的电化学沉积过程.实验表明,Pd的沉积初始阶段在Au(111)电极表面依次生成两个满单层Pd膜,这一实验结果不仅与电位扫描一致,而且更进一步地证明了起初的两个Pd单层形成过程乃以层～层外延方式生长.高分辨的原子图像表明吸附的SO2-4离子在外延生长的Pd膜表面形成了有序的(3×7)R19°结构.

　采用XRD研究和场发射电镜(FEG＿TEM)电沉积锌镀层纳米改性,分别观察并分析纳米镀锌层的结晶形态及其晶粒尺寸,根据镀层极化曲线和中性盐雾试验测定,结果表明,纳米镀锌层的抗腐蚀性能优于其它镀层.

用电势阶跃法和旋转圆盘电极法 (RDE)以及SEM和XRD测试手段 ,初步研究了光亮剂对氰化体系中银电沉积行为的影响 .研究表明 ,光亮剂的加入并未导致银电沉积成核机理的改变 ,但显著增强了镀液的微观平整效应 ,并且所得镀层的表观光滑程度明显改善 .XRD测试亦同时表明光亮剂的加入并未改变镀层的择优取向

于不同H2PtCl6浓度和超电势下,应用Fleischmann的电结晶成核及晶体生长模型和Barradas Bosco的电化学成相吸附成核模型,拟合多晶Au微盘电极( =30μm)上电沉积Pt的恒电势阶跃电流暂态曲线.得出:在稀H2PtCl6溶液中,上述沉积过程初期,发生H2PtCl6吸附并遵循二维瞬时成核与圆柱形生长模型.二维生长速率常数随超电势线性增加.跟随其后的是核的层状生长,其速率常数随超电势呈非线性变化.而在高浓H2PtCl溶 ...

使用常规旋转电极电沉积技术,引入陶瓷球等一类硬质粒子,在旋转电极的带动下,使陶瓷球不断磨擦和撞击阴极表面而实现电铸铜.对比酸性溶液电铸铜和碱性溶液电铸铜,发现硬质粒子在电沉积过程中能扰动离子的放电过程,并影响电铸层的组织结构.但由于二者放电机理不同,前者形成的电铸层表面布满尖状毛刺,而后者则表面尖刺消失,但脆性大.SEM和XRD测试表明,由碱性电铸液沉积的电铸铜层,表面光亮平整,晶粒致密,大小约为100~300 nm,其结晶形态接近无序取向.

以氯化铜水溶液作电解液,在发光多孔硅薄膜表面上电沉积铜.SEM观测和计算机图像处理结果表明:电沉积之后,在多孔硅薄膜上形成了一些或实心或中空的等边三角形铜微晶,沉积后的多孔硅薄膜的分形维数从2.608降为2.252,其表面由粗糙变为光滑.与物理方法制作相比,这是一种机械强度和导电性能都更加良好的多孔硅薄膜.

应用恒电位沉积(psd)和电位脉冲沉积(ppd)法在Pt基底制备CeO2/Pt复合电极,用能量色散X射线光谱(EDX)和X射线衍射(XRD)检测CeO2纳米粒子的成分和结构,场发射扫描电子显微镜(FESEM)观察样品形貌.结果表明:CeO2颗粒细小、致密.在KOH溶液中,CeO2/Pt对甲醇氧化和氧还原有电催化作用;若在稀硫酸中溶除CeO2/Pt电极(ppd)的部分CeO2,则电极的电催化作用进一步增强.