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    • 两步电沉积法制备单晶Au纳米线阵列 

      向娟; 田景华; 倪子绵; 黄陟峰; 刘波; 田中群; XIANG Juan; TIAN Jing-hua; NI Zi-mian; HUANG Zhi-feng; LIU Bo; TIAN Zhong-qun (厦门大学《电化学》编辑部, 2004-02-28)
       以多孔阳极氧化铝为模板,采用两步交流电脉冲沉积法制备具有单晶结构的有序金纳米线阵列.实验表明:在氧化铝模板中由交流电沉积制备的金属纳米线,其成核电压直接影响模板内纳米线的填充率,而生长电压则控制纳米线的结构和形貌均一性.在最佳沉积条件下得到的金纳米线阵列,其填充率高达95%,且具有单晶结构.