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    • InGaAs薄膜电共沉积研究 

      李浴春; 王喜莲; 韩竞科; 韩爱珍; 高元恺; 杨志伟; LI Yu chun; WANG Xi lian; HAN Jing ke; HAN Ai zhen; GAO Yuan kai; YANG Zhi wei (厦门大学《电化学》编辑部, 2000-11-28)
      本文应用优化工艺条件的电共沉积方法 ,制备发射光近于 1.3~ 1.5μm波长的InGaAs薄膜 .用能谱分析仪进行薄膜成分分析 ;分光光度计和单色仪测量薄膜的透射率 ,同时也测量了薄膜的V I特性、导电类型及其表面形貌 .