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    • 铜在氨水介质铁氰化钾抛光液中CMP的电化学行为研究 

      胡岳华; 何捍卫; 黄可龙; HU Yue hua; HE Han wei; H UANG Ke nong (厦门大学《电化学》编辑部, 2001-11-28)
      应用电化学测试技术研究了介质浓度 (包括pH值 )和成膜剂浓度对铜表面成膜及铜抛光过程的影响 ,探讨了成膜厚度及其致密性与抛光压力、抛光转速的关系 ,考察了压力及转速对抛光过程的作用 ,找出影响抛光过程及抛光速率的电化学变量 .用腐蚀电位及腐蚀电流密度的变化解释了抛光过程的电化学机理 ,通过成膜速率及除膜速率的对比得出了抛光过程的控制条件 .证明了在氨水溶液介质中、以铁氰化钾为成膜剂、纳米γ -Al2 O3为磨粒的抛光液配方是可行的 ...