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    • MH-Ni电池记忆效应的研究 

      谢德明; 王建明; 张鉴清; 曹楚南; XIE De ming; WANG Jian ming; ZHANG Jian qing; CAO Chu nan (厦门大学《电化学》编辑部, 2000-11-28)
      放电深度 (DOD)、放电速率、循环次数对MH Ni电池的记忆效应影响很大 .经过几次全充放循环可以消除记忆效应 .记忆效应的存在与Zn无关 .电池在低DOD循环过程中 ,其放电电位、放电容量一开始下降很快 ,然后逐渐趋于某一值 ,并且放电电流越小 ,相应的最高充电电压越低 .若放电电流增加 ,在随后的第一周充放电过程中最高充电电压迅速增加、放电容量显著小于稳定值 .最后探讨了导致记忆效应的原因 ,并给出了若干消除或减弱记忆效应的设想