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    • 硅基多孔氧化铝膜的AES多层结构分析和生长过程研究 

      吴俊辉((南京大学物理系,固体微结构物理国家重点实验室); 邹建平((南京大学物理系,固体微结构物理国家重点实验室); 朱青((南京大学物理系,固体微结构物理国家重点实验室); 鲍希茂((南京大学物理系,固体微结构物理国家重点实验室); Wu junhui; Zou Jianping; Zhu Qing; Bao Ximao (厦门大学《电化学》编辑部, 1999-11-28)
      将电子束蒸发在硅衬底(P型,〈100〉晶向,0-5 Ω·cm) 上厚度400 nm 、纯度99-99 %的铝膜,浸入具有中等溶解能力的15 wt% H2SO4 中,DC恒压60 V、恒温0 ℃条件下,进行多孔型过度阳极氧化处理,从而在Si 基上得到包含空隙层的多孔氧化铝膜.通过对样品TEM 平面形貌、SEM 横断面形貌观察以及AES深度剖析,研究了样品的多层结构,并初步讨论了由此揭示出的硅基多孔氧化铝膜的生长过程