GaN薄膜的椭偏光谱研究

Abstract

摘要 GaN基材料具有禁带宽度大、电子漂移饱和速率高、介电常数小、导热性能好等特点，非常适合制作抗辐射、高频、大功率和高密度集成电子器件，在通信、汽车、航空、航天、石油开采以及国防等方面有着广泛的应用前景，特别是GaN材料折射率和消光系数色散关系的研究对GaN基器件尤其是考虑全波段的紫外探测器的研制具有十分重要的意义。虽然有部分研究人员已经对GaN的光学性质做了探讨，但这些研究多针对GaN外延层带隙之下的波段，对带隙及带隙之上的波段的研究尚不明确。因此，有必要引入能够应用于带隙及带隙之上波段的色散公式来描述GaN材料的光学性质，以期获得更为可靠的结果，为GaN基薄膜材料在紫外波段器件中的...

Abstract GaN-based materials have attracted much attention for the fabrication of optoelectronic devices, owing to their remarkable physical properties such as big bandgap, high electron drift velocity, small dielectric constants, and good thermal conductivity. It is important for the research of the dispersion relation ( including refractive index and extinction coefficient ) of the GaN ma...