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    • Si基图形化衬底Ge外延生长及Si基Ge波导型探测器研究 

      高玮 (2014-12-05)
      摘要 以硅为主导的微电子技术在过去的半个世纪里取得了举世瞩目的成就,大力推动了信息技术的发展,然而由于硅是间接带隙材料,在1.1μm以上波段没有响应等特点使得硅难以应用在一些光通信的有源器件中。锗虽然同为间接带材料,但是在光通讯波段有较高的吸收系数,并且与成熟的CMOS工艺兼容,从而在硅基光电子器件如光电探测器、场效应管等方面受到了广泛的重视。Si基Ge波导型探测器集合了Ge的优良特性和波导结构的优势,量子效率和带宽得到有效提升,然而S ...
    • Si基硒微纳结构的制备及光电特性研究 

      潘书万 (2011-11-02)
      以Si材料为基础的微电子技术是当今信息化时代的关键支柱,已经达到相当成熟的产业化水平,在信息领域中做出了巨大的贡献。Si基化合物新材料在硅集成光电子和纳米器件如单电子器件、太阳电池以及薄膜晶体管等方面具有广阔的应用前景。然而,Si基化合物材料的发展相对比较缓慢,除SiGe材料外,其他Si基化合物材料的研究并不深入。因此,寻找新的性能优良的Si基化合物材料是进一步加快光电子集成发展的有效途径之一。本文利用超高真空气相沉积系统(UHVCVD ...
    • Si基纳米结构的第一性原理计算及其制备、结构与光学性质 

      周笔 (2009-12-25)
      众所周知,以Si作为基质材料的微电子技术是当今信息化时代的关键支柱,已经达到相当成熟的规模产业化水平,在信息高科技领域中做出了巨大的贡献。然而,由于体Si为间接带隙材料的内在秉性制约了信息化社会发展的光电子集成发展需求,实现Si基高效发光是硅基光子学亟待突破的关键课题。目前,Si基纳米结构表现出良好的光学性质,成为实现Si基高效发光最有潜力的材料之一。但是,Si基纳米结构的分布随机性、尺寸分布不均匀、密度难提高及其发光机制仍不统一等制约 ...
    • Si表面Ag吸附及ZnO薄膜的制备 

      林秀珠 (2011-01-12)
      几乎所有的半导体器件都存在金属半导体界面,其中Ag/Si界面在电子器件和表面催化等方面更是有着广泛应用,深入了解Ag/Si界面的微观结构和特性不仅在科学研究同时在实际工业中都具有重要的意义。本论文利用基于密度泛函理论的第一性原理计算方法,研究Si(111)-7×7表面上Ag原子的初期吸附行为和Si表面悬挂键被H原子饱和后对Ag原子吸附的影响。 通过对Si(111)-7×7表面Ag原子吸附能量和稳定位置的比较,确定了单个Ag原子优先吸附在 ...
    • Si表面Mg、Zn及其混晶的原子相互作用和稳定结构 

      陈晓航 (2011-01-11)
      在当今追求科技产品多功能的信息时代,人们对微纳尺度光电器件和电子器件的集成要求日益提高。如何将以Si基半导体为代表的电子结构材料与宽禁带半导体结构材料制备在一起,成为人们关注的科学问题。然而,Si表面上金属原子所形成的结构稳定性和相互作用不确定,MgxZn1-xO混晶中相结构稳定性和原子相互作用等问题,极大地制约了这些半导体结构材料的应用。为此,本论文着重就Si(111)-(7×7)表面Mg/Zn结构和MgxZn1-xO混晶相结构的稳定 ...
    • Si衬底上Ge/Si岛的有序可控生长与表征 

      周志玉 (2008-12-26)
      本论文采用全息光刻法制作二维图形衬底,利用超高真空化学气相淀积系统(UHV/CVD)在图形衬底上生长有序的Ge/Si岛。系统研究了图形在高温脱氧时产生的变化,分析了图形衬底、淀积条件等对Ge/Si岛生长的影响。利用UHV/CVD系统在平面衬底上生长多层Ge/Si岛,研究不同厚度的Si间隔层对多层Ge/Si岛性质的影响。全息光刻法主要包括曝光和刻蚀。曝光采用三束光同时入射到记录介质中经过一次曝光,从而得到二维图案;刻蚀采用感应耦合等离子刻 ...
    • Skutterudite类型材料在压强下的性质 

      林海 (2011-11-02)
      能源短缺已成为制约世界经济发展和很多国家民族矛盾的根源之一,寻找新型可再生能源已是提高社会生产力的当务之急。热电能源转化技术是一种环保的能源转化方式,它可以直接将热能转化为电能。热电转化技术可以利用生活中广泛的热源产生电能,比如各种辐射产生的热、发动机产生的废气和各种工业过程中产生的相应热源。如何提高热电材料的热电优值ZT成为了热电材料研究中的重要课题。高效的热电材料必须有较高的电导率和较低的热导率。 Skutterudite类型材料是 ...
    • Skyrme Hartree-Fock理论对原子核奇偶差及气泡核结构的研究 

      于坤 (2016-12-22)
      本文基于SkyrmeHartree-Fock(SHF)理论研究了原子核的奇偶差及气泡核的性质。关于原子核的奇偶差,我们着重讨论了SHF中奇时项对原子核奇偶差的影响。对气泡核结构的研究中,我们分别讨论了张量力和对力对气泡核结构的影响。 作为本文的研究工作之一,我们则采用SHF+BCS模型研究了奇时项效应对半幻数球形核Ca,Ni和Sn同位素链结合能奇偶质量差的影响。计算中,我们使用了两种对相互作用,一种是表面型δ相互作用(IS),另一种是同 ...
    • SnO2/Si异质结的制备及光伏特性研究 

      张万中 (1993-08-19)
      本文采用CVD方法在硅单晶上制各SnO2薄膜,对不同制备条件:不同硅衬底温度及不同SnCl4溶液浓度下制备SnO2/Si,对其光伏特性进行测量,的出最佳制备条件。由于SnO2的禁带宽度大大于Si的禁带宽度,在可见光及近红外区内,SnO2层是透明的;SnO2层是一导电层,因此对SnO2/Si可认是类似于金属与半导体接触。采用金属半导体接触模型,在小讯号稳定光照和一定的边界条件下,解少子连续性方程,的出光生载流子浓度分布和光电压的计算公式。 ...
    • SOC芯片接口的集成设计与应用研究 

      陈伍敏 (2013-12-16)
      片上系统(SOC)通过集成了各种具有某些特定功能的IP核,在单块芯片上实现了一个具有完整功能的系统。但SOC并不是一个封闭的系统,它需要和外部进行通信。因此,SOC芯片上往往根据应用的需要集成了各种各样的接口电路。 本文根据实际项目的需要,为MP3音频SOC设计USB主机控制器和SD卡接口控制器,用以对外部的U盘和SD卡进行操作,并设计了DMA控制器用以实现大量数据的片上交换,然后集成各功能模块及开发相应驱动软件设计了一款MP3音频SO ...
    • SONET/WDM光环网中业务流量的智能疏导 

      徐永 (2002-12-04)
      SONET/WDM(SynchronousOpticalNETwork/WavelengthDivisionMultiplexing的简称)环网络中业务流量的疏导是光网络研究领域的一个重要的前沿和热点问题,也是一个科技含量和商业价值并重的较新的研究课题。业务流量的高效疏导能有效地降低网络的建造成本和费用,因而自从它在1998年被提出后就引起了国际上众多著名研究机构和工商领域的研究人员的广泛关注。由于这一问题的NP-难的特性,目前对它的研 ...
    • ß相氮化硅晶体的晶格动力学研究 

      陈鹭薇 (1993-07-17)
      本文对ß相氮化硅晶体的晶格振动作了两方面的研究:一是利用群论的方法,分析了晶体布里渊区中几个高对称点、线上震动模的对称性、求出了Γ点振动模的对称化本征矢;二是利用唯象理论,建立晶格动力学理论模型——价键力场模型,计算了声子的色散关系和态密度以及一些与声子有关的性质。理论计算得到的体弹性模量、声子比热与实验很好符合。本文的研究工作对于氮化硅材料的基础性能的研究和应用有一定的意义。
    • T90继电器铆铁芯机的研制 

      邓飞 (2011-11-04)
      T90继电器铆铁芯机是T90继电器产品专用生产设备的一种,用于T90继电器自动化装配中的电磁系统装配,即将线圈、轭铁、铁芯铆装在一起。由于T90继电器轭铁结构的特殊性,轭铁自动进料困难,目前使用的T90继电器铆铁芯机的轭铁进料普遍采用人工送料方式,人工劳动强度大。且下铁芯、铆铁芯等工艺过程复杂,效率低。本课题设计的T90继电器铆铁芯机,实现了轭铁自动进料,改善了下铁芯、铆铁芯等工艺,提高了装配效率,降低了设备成本,并降低了工人劳动强度。 ...
    • TC203智能化电涡流测厚仪的原理与设计 

      严晓东 (2007-10-29)
      本文介绍TC203智能化电涡流测厚仪的原理及软硬件系统设计。仪器采用调频涡流检测法与单片微机技术相结合,具有测量精度高、重复性好、可靠性高、自动调零、自动校准等优点,并具有键盘远择功能及数据处理能力。该仪器的研制已被列为一九八九年度厦门市重点科研项目,仪器的研制具有较高的经济效益及杜会效益。
    • TiO2基复合同轴纳米线制备及其光催化特性研究 

      占力 (2016-12-23)
      随着能源危机的日益严峻和环境保护压力的不断增大,光催化降解技术作为一种环保、有效的方法引起了人们较多的关注。TiO2以其较低的成本、高催化活性和稳定性等特点,已被广泛应用于该领域。然而,TiO2属于宽带隙材料,在可见光区域光吸收能力较弱。为了提高其光吸收效率,人们主要采用贵金属修饰或窄带隙半导体敏化等方式,以提高TiO2的光响应范围。但是其单一的改良方式对TiO2的光催化性能提高有限。因此,本文通过整合贵金属修饰和半导体敏化两种改良手段 ...
    • TiO2薄膜磁控溅射制备及其MSM结构紫外光电探测器的研制 

      黄火林 (2011-11-02)
      紫外辐射探测技术可以应用在太阳紫外线监测、火焰探测、生物学研究、紫外天文学以及无线通信等许多领域,现在已经开始受到广泛的重视。SiC、GaN和ZnO等宽禁带半导体材料紫外光电探测器具有“可见光盲”和室温工作等特点,因此得到较为充分地研究和应用,但是它们同时存在价格昂贵和制作工艺复杂等问题。TiO2同样是宽禁带半导体材料,锐钛矿结构的TiO2禁带宽度为3.2eV,有可能实现探测器的“可见光盲”特性,同时这种材料还具有优秀的物理、化学和光学 ...
    • TRIZ理论在液晶面板组装质量管理中的应用 

      林光宇 (2013-12-13)
      在国家主张建设创新型社会的大背景条件下,近十年来我国出现了许多高新技术企业。这些高新技术企业作为各个行业、各个地区产业经济的最具有生命力的带头者,从整体上促进了我国经济持续、健康、快速地发展。液晶面板产业作为其中的代表,在液晶电视、液晶显示器、手机等下游需求的带动下,已在中国内地迅速扩张。然而,在加快面板国产化脚步的进程中,如何快速提高技术质量、提升品质竞争力,成为大陆面板企业生产管理的第一难题。 TRIZ(发明问题解决理论)作为一种实 ...
    • UHV-CVD系统自组装生长Si基Ge量子点 

      王钰 (2007-06-22)
      本论文利用超高真空化学气相沉积(UHV-CVD)设备,系统地研究了外延生长条件对Si基Ge量子点特性的影响。以自组装S-K(Stranski-Krastanov)先层后岛生长模式的热力学及动力学理论为基础,详细分析了生长条件对量子点形貌、密度、尺寸分布等的影响,得到了实验结果的支持。 在GeH4流量和温度不变的情况下,随着外延时间增长,岛的尺寸增大。当岛的尺度增加到一定值时,大岛尺寸不会明显变化,而小岛尺寸和密度一直在增加。热力学平衡理 ...
    • USB2.0设备控制器在PowerPC架构上的集成设计与验证 

      杨娟 (2009-11-24)
      随着USB技术的广泛应用,市场对兼容USB协议的设备控制器芯片的需求大量增加。由于电子系统设备接口的数据传输速度不断提升,原有的USB1.1协议(12Mb/s)已经逐渐被高速的USB2.0传输协议所替代,接口数据传输速度可提高到480Mb/s,因此,USB2.0成为了目前电子系统设备接口的标准配置之一。本论文工作旨在设计一种基于FPGA内部PowerPC架构的USB设备控制器,即设计实现了将处理器、USB设备接口IP核和其他外围模块等集 ...
    • USB接口引擎的软核设计与FPGA兑现 

      邹琼 (2006-10-10)
      USB(UniversalSerialBus,通用串行总线)是当今消费电子产品和仪器设备中应用最广的接口协议之一,然而目前国内的USB芯片只有极少数几款,产品研究善处于起步阶段,绝大部分产品主要由国外的IC设计芯片厂商如Cypress、NEC等一些国际著名公司提供。因而,如果能够自主开发设计USB芯片以替代国外同类产品,将会有很好的市场前景和利润空间。本论文课题是针对基于FPGA(FieldProgrammableGateArray,现 ...