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    • 4H-SiC吸收层、电荷层和倍增层分离结构紫外雪崩光电探测器的模拟和制备 

      张明昆 (2017-02-10)
      4H-碳化硅(SiC)紫外雪崩光电探测器(APD)已具备取代紫外光电倍增管和Si基紫外光电探测器的可能性,它在光纤通信、高保密的非视距紫外通信及微弱紫外信号检测等特殊领域有重要的应用,已日益成为国际上光电探测领域的研究热点。 近年来已报道的高性能4H-SiCAPDs大多是采用吸收层和倍增层分离结构(SAM)进行制备。虽然SAM结构具有较高的量子效率,但是为了实现有效的吸收层和倍增层分离结构,要求倍增层厚度较薄且掺杂浓度较高,这将会使得器 ...
    • 4H-SiC基紫外探测器减反射膜的设计、制备及应用 

      张峰 (2009-03-23)
      碳化硅(SiC)材料由于具有宽禁带(4H-SiC为3.26eV)、高击穿电场、高热稳定性等优点,在紫外光电探测领域展现出了极大的潜力。各种结构的4H-SiC基紫外探测器(如肖特基、金属-半导体-金属(MSM)、p-i-n以及雪崩探测器等)在尾焰探测、臭氧层检测、短波通讯等方面展现出了良好的应用前景。 为了提高探测器对入射光线的吸收效果,一般采用热氧化的方法在4H-SiC紫外探测器的入射表面上生长一层SiO2薄膜,作为探测器的减反射膜和钝 ...
    • 4H-SiC紫外光电探测器光电特性随温度变化的研究 

      郑云哲 (2011-11-02)
      随着空间科学的发展,航空航天及太空环境监测等领域要求光电探测器能够在较宽的温度范围内保持良好的性能,然而半导体器件的性能受温度的影响很大,因此研究光电探测器的光电特性随温度变化特点,尤其是低温下的变化特点具有重要的理论和实际意义。用4H-SiC制备的紫外光电探测器在室温下表现出优良的紫外探测性能,本文介绍了在300-60K温度范围内,4H-SiC紫外光电探测器的暗电流和相对光谱响应随温度的变化特性。 将被测探测器置于由液氦制冷的闭循环冷 ...
    • 500MHz核磁共振波谱仪锁通道射频单元及1H/X通道重要射频控制模块的研制 

      戴春亮 (2015-05-18)
      核磁共振(NuclearMagneticResonance,NMR)技术是研究物质微观和宏观结构以及相互作用的一种强有力的研究手段。核磁共振波谱仪(以下简称NMR谱仪)作为核磁共振技术的研究平台,广泛应用于科研、教育、生产、卫生以及人类生活的各个领域。 射频系统是磁共振设备中实施射频激励信号并接收和处理射频信号的功能单元。不仅要根据脉冲序列的要求发射各种翻转角的射频波,还要接收自由感应衰减(FreeInductionDecay,FID) ...
    • 65C02 MCU在线仿真器的设计研究 

      朱武星 (2008-12-26)
      在线仿真器(In-circuitEmulator)是微处理器(MCU)开发系统中重要的硬件组成部分,是开发基于微处理器的软硬集成系统最有效的手段之一。研究和设计65C02MCU在线仿真器具有重要的意义:在兼容65C02系列MCU芯片的自主开发设计的过程中,为芯片的应用开发提供一款有效的开发工具。 在线仿真器的性能主要取决于硬件部分的设计。本论文的目的是设计65C02MCU在线仿真器的硬件结构特别是其中的控制逻辑部分。本论文首先在在线仿真 ...
    • 65Mn钢平面磨削淬硬加工中毛刺的形成机理及其控制 

      王燕平 (2012-11-22)
      毛刺的产生是金属切削加工中长期存在的问题,切削毛刺的控制与去除技术是现代机械制造技术的两大发展方向——精密与超精密加工和自动化加工中的关键技术之一。毛刺虽小,但是危害极大。各种毛刺的存在不但影响整个工件的可靠性,给加工、装备、检验、产品性能、使用寿命以及安全和外观都带来危害。随着工业化水平的提高,机械零件的制造精度要求越来越高,这就要求工件的毛刺尺寸尽量小或者没有。本文以平面磨削淬硬试验为基础,对65Mn钢磨削的两侧方向和切削方向的毛刺 ...
    • 7-DOF下肢外骨骼机器人机构的设计与研究 

      林军 (2013-12-18)
      下肢外骨骼机器人是一种可穿戴、交互式仿生机器人,由机械系统、动力系统、驱动系统、传感系统和信息分析处理系统等多个部分组合而成,具有结构精细、响应速度快和性能稳定等特点,适用对象有下肢瘫痪病人、老年人和军人等。通过下肢外骨骼机器人辅助瘫痪病人定期进行腿部各关节的伸展/弯曲,可促进病人腿部的血液循环,避免肌肉组织萎缩,增加病人腿部的康复几率。老年人由于肌纤维萎缩,肌力衰退,上下楼梯缓慢、费力,而在下肢外骨骼机器人的辅助下就可轻松、迅速地上下 ...
    • 7-DOF下肢外骨骼机器人驱动系统的设计与仿真 

      杨忍 (2014-12-08)
      下肢外骨骼机器人是一种可穿戴、交互式仿生机器人,其类似人体外骨骼,通过穿戴在人体身上,与人体行动保持一致,达到辅助人体运动的目的。本文介绍了下肢外骨骼机器人的结构设计与优化、液压驱动系统设计、数学模型的建立,以及基于MATALAB、AMESim平台的仿真分析。其结构设计主要包括各关节的设计和优化,所设计机器人为7自由度,基本能复现人体下肢的所有运动功能。其驱动系统采用液压驱动,本文通过2种方案的对比优化,设计了合理的液压驱动系统和轻型液 ...
    • 7.0T磁共振动物成像仪正交鸟笼线圈的研制 

      王弼 (2017-12-28)
      磁共振成像系统中静磁场的强度很大程度上决定了系统的上限性能,目前商用人体磁共振成像系统磁场强度在3T以下。更高场强,例如7.0T磁共振系统能提供更高的信噪比,可以带来更清晰的局部成像细节或者缩短成像时间,如果完全应用到人体领域将为医疗诊断开创新的纪元。但由于安全性尚未完全论证,一些关键技术尚未完善等原因,超高场MRI系统目前还主要应用在动物成像领域。 射频线圈处于磁共振成像系统的最前端,对MRI信号的灵敏度起着决定性的影响。相对表面线圈 ...
    • AAO膜的光反射非对称效应及AAO模板法制备Si、Ge纳米结构 

      李阳娟 (2011-11-02)
      随着硅微电子产业的迅速发展,器件工艺水平不断提高,器件的尺度减小到纳米量级。然而,体Si是间接带隙材料,发光效率不高,制约了光电子集成的发展。制备高密度、小尺寸和大小均匀的Si基纳米结构对实现高性能的光电子器件具有重要的科学意义和应用价值。多孔阳极氧化铝膜(AAO)具有高度有序、孔径和孔间距可控、热稳定性好、绝缘、制备工艺简单等优点而成为制备均匀纳米结构的首选模板。 AAO是一种宽带隙材料,具有良好的光学特性,在近紫外至近红外波段具有很 ...
    • AC-AC高频连接型变换器 

      张少煌 (2016-03-17)
      电力电子变换技术在过去六十年里已经取得较大发展,人们在AC/DC、DC/DC、DC/AC等领域内的中、小功率变换器研究已经取得了显著成就。然而,对AC/AC变换器研究仅局限于可控硅变换器、矩阵变换器和交流斩波器等交流电网与负载无电气隔离领域。目前国内外对于AC/AC变换技术的研究仍处于初级阶段,寻找一种结构简洁、控制模式方便的主拓扑具有很重要应用意义。 本文通过了解各种典型和新兴的交流变换器主拓扑结构及其性能特点,对高频连接型全桥桥式变 ...
    • AC-LED光闪烁探究和优化 

      纪旭明 (2016-12-23)
      生活水平的提高促使人们提高了对照明的要求。照明效果是物理、生物、心理效应的综合体现,物理效应是照明设备发出光的客观参数,生物效应是观测者感受到的光参数,而心理效应则是人在照明条件下易产生的心理状态。因此照明对人身心造成的影响是个值得关注的问题。 本文主要研究对象是LED照明产品中的AC-LED。AC-LED具有低廉的生产成本、可直接接入市电和便于光学设计等特点。AC-LED可直接接入市电工作,但是存在光闪烁(俗称频闪)现象,频闪会对人身心产生很大的伤害。 ...
    • Ag/Si低维结构的扫描隧道显微镜研究 

      胡蔚 (2014-12-08)
      由于在基础研究和器件应用中的重要地位,Ag/Si体系一直受到人们的关注。对其结构和特性的研究,有助于更好地理解金属/半导体系统的界面性质、结构组成和形成机理等物理问题,建立其原子结构与电子性质之间的联系。通过有效地控制其生长过程和外延结构,可望开发具有更加优越特性的新型的结构体系,开拓其在微纳器件中的应用。为此,本论文在超高真空环境下,采用分子束外延生长方法,在Si(111)表面上制备Ag等材料的低维结构,利用扫描隧道显微镜等表征技术, ...
    • AlGaAs:Sn混晶中DX中心能级的精细结构 

      肖细凤 (2001-05-01)
      杂质和缺陷一直是半导体材料的重要研究课题。n型混晶材料的DX中心由于其特异的性质如持久光电导(PPC)效应等,更引起了人们的兴趣。至目前为止,虽然对DX中心的物理起源、精细结构等进行了许多讨论,但有许多问题仍有待解决。因此,随着AlxGa1-xAs,GaAs1-xPx等III-V族混晶材料在各种新兴光电器件中越来越广泛的应用,对III-V族混晶中DX中心的深入研究具有更重要的应用价值和学术意义。 本文将报告采用定电容电压瞬态法,测量了不 ...
    • AlGaN 隧穿结的设计和特性优化 

      李德鹏 (2017-12-27)
      摘要 AlGaN半导体材料作为第三代宽禁带半导体的代表,具有直接带隙宽、原子键强、热导率高、化学稳定性好(几乎不被任何酸腐蚀)以及抗辐照能力强等物理性质,在光电子、高温大功率器件和高频微波器件应用方面有着广阔的前景。仰赖于直接带隙宽,通过调节合金组分,带隙可在3.4至6.2eV的光谱响应范围内调节,有利于能带剪裁,成为工作在紫外到深紫外范围的发光二极管、激光二极管以及探测器等器件的理想材料,受到业界的广泛关注。特别是作为紫外固态光源,相 ...
    • AlGaN基深紫外LED的能带调控和极化诱导掺杂研究 

      刘松青 (2016-12-20)
      Ⅲ族氮化物作为新一代半导体材料,具有宽直接带隙、高电子漂移率、高热导率、耐高温、抗腐蚀、抗辐射等优点,适合制作高频、高功率、耐高温和抗辐射的电子器件,比如AlGaN基紫外发光二极管。但是紫外发光二极管依然存在低量子效率、低光输出功率等问题,提高晶体质量和载流子注入效率是解决问题的两个主要思路。影响载流子注入效率的一个重要因素是内部极化场引起的能带弯曲,本文基于APSYS软件,主要围绕紫外LED的能带调控和极化诱导掺杂展开研究。 ...
    • AlGaN掺杂量子阱设计和外延生长 

      倪建超 (2012-11-15)
      宽禁带III-V族氮化物半导体由于其材料具有禁带宽度大、电子迁移率高、介电常数小、电子有效质量较小等特性,在光电子领域有着重要的应用前景。在过去多年中,氮化物半导体材料的结构研究主要是超晶格量子阱结构,其性能在不断完善的工艺技术支持下有很大的发展空间。量子阱作为许多光电器件的核心功能部件,其最重要的应用是作为光电器件的有源层,束缚载流子并进行量子能级的跃迁和复合,量子阱的结构设计和生长影响着光电器件的各种性能。然而,氮化物量子阱异质界面 ...
    • AlGaN紫外量子能量转换材料及其光电子器件 

      高娜 (2016-03-22)
      随着信息化社会的迅速发展,人们对信息存储容量和传递速率的要求日益提高。光子作为信息传递的载体,通过与电子间的能量转换,能够很好地实现信息的传输和交换;而具有全新物理原理的量子器件,更能满足光电器件高度集成的发展需求。鉴于当前人们的社会需求正向环境保护、医疗卫生、军事监测、光电对抗等诸多领域扩散,亟待开发以量子能量转换为基础的半导体短波长、紫外及深紫外光电子器件。AlGaN材料作为III族氮化物体系的成员之一,具有直接带隙可调范围广、结构 ...
    • AlGaN结构材料光学各向异性及非线性光学性质调控 

      姜伟 (2013-12-16)
      AlGaN基半导体是目前短波长光电器件中最重要的材料,以其为基础研发的深紫外LED和LD在照明、杀菌、环保以及军事上都有着重要的应用价值和广泛的市场前景。由于纤锌矿结构的AlGaN为非中心对称晶体,具有极强的极化,也造成了材料光学各向异性,制约着高质量材料和器件的制备与应用。准确表征AlGaN材料光学各向异性并实现光学各向同性的调控成为突破现有结构材料和器件局限的关键手段。另一方面,由极化效应所引起内建电场,也是导致AlGaN材料存在非 ...
    • AlInGaN/GaN PIN 紫外光电探测器的研究 

      洪灵愿 (2005-08-16)
      摘要紫外光电探测器在航空、军事、民用等领域里具有非常重要的应用,本论文结合科研项目,进行了PIN结构紫外光电探测器的理论研究和实验制备。所做的研究工作如下:1、目前,GaN基紫外光电探测器一般采用AlGaN/GaN材料来制备,但是AlGaN与GaN之间晶格失配导致外延层位错密度较高,所以,我们提出用晶格常数和禁带宽度可以独立变化的AlInGaN四元合金代替AlGaN作为探测器的有源层。2、用MOCVD系统生长了与GaN晶格基本匹配的Al ...