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    • IC卡预收费式煤气表的研制 

      应海萍 (2018-06-11)
    • III族氮化物半导体中极化场的调控 

      李金钗 (2008-12-26)
      III族氮化物半导体在短波长高亮度发光二极管、高功率激光器、高灵敏度光探测器、以及高温大功率电子器件等方面有着广泛的应用前景。不同于传统的III-V族化合物半导体,纤锌矿结构的III族氮化物半导体具有极强的自发极化和压电极化效应。极化效应在III族氮化物的应用中起着双刃的作用,既有其危害处也有其得利处。对III族氮化物半导体中的极化场加以调控,避其短扬其长,是人们渴望深入了解的课题。本论文围绕III族氮化物半导体的极化效应和极化场调控, ...
    • III族氮化物应变量子结构及其特性调控 

      林伟 (2011-01-11)
      随着半导体材料和器件的提高,人们越来越注重节能和环保。对信息处理、传输、存储等速度的要求也日益提高,以Si和Ge为代表的第一代以及以GaAs为代表的第二代半导体己经难以满足人们对短波长光电子半导体材料和器件需求。III族氮化物半导体体系以其晶格常数和直接带隙可调范围广、结构稳定性和临界击穿电压高等独特的优势,成为开发短波长光电子器件最重要的半导体材料。其核心结构之一异质结构,如超晶格、量子阱、量子线、以及量子点等。由于III族氮化物极强 ...
    • III族氮化物材料弱极性晶面量子阱的生长及其光电特性的研究 

      曾凡明 (2016-12-20)
      III族氮化物半导体材料具有许多优良的性质,其纤锌矿结构晶体具有宽禁带,直接带隙,化学特性稳定,耐高温,质地坚硬等特点。近十几年对其的研究取得了瞩目的成果,商业价值巨大。具体应用包括显示,照明,存储,探测器,通讯,农作物生长照明,医疗健康,以及电力电子器件等领域。尽管如此,III族氮化物材料在发光器件应用领域仍然面临许多需要解决的问题,例如:电极化效应,高缺陷密度,光提取效率低,droop效应,GreenGap等。 为了改善上述问题,科 ...
    • II型异质纳米结构太阳能电池研究 

      王伟平 (2017-12-27)
      随着经济的高速发展与人口数量的持续增长,人类社会对能源的需求越来越大,传统化石能源的大量消耗不仅引发能源危机,更对环境造成了严重破坏。太阳能因其具有储量大、无污染又无地域限制等优点引起社会的广泛关注,它的开发与应用必将引领世界能源产业与能源结构的重大变革。自上世纪中叶第一块硅太阳能电池问世后,硅基太阳能电池有了较大的发展,目前,其在光伏产业市场中占据主要地位,但较高的发电成本限制其大规模商业化应用。为获得廉价且高效的太阳能电池,基于II ...
    • InAs自组织量子点的光学性质研究 

      孔令民 (2005-07-10)
      由于半导体量子点具有零维电子特性,它不仅成为基本物理研究的重要对象,也成为研制新一代量子器件的基础。正因如此,量子点材料及器件成为目前国际上最前沿的研究课题之一。GaAs基InAs自组织量子点因其成本低廉、器件工艺成熟,成为替代InP基材料、制备光纤通信用1.3-1.55µm发光激光器的热门材料之一。本文采用分子束外延技术制备了高质量的GaAs基InAs自组织量子点材料。利用原子力显微镜(AFM)、扫描电子显微镜(SEM)、 ...
    • InGaAsN量子阱发光性质的研究 

      林雪娇 (2004-06-09)
      针对InGaAsP/InP1.3-1.55μm长波长激光器具有温度特性差的缺点,近年来提出了InGaAsN/GaAs新型结构材料。它可以用于制造高性能的长波长垂直腔面发射激光器(VCSEL)。因此,近年来InGaAsN材料成为长波长光电器件的一个重要研究课题。 本文通过高分辨率X-射线衍射(HRXRD)实验与拟合得到In的组分和量子阱的阱宽。结合理论计算对光致发光(PL)谱中InGaAs和InGaAsN量子阱的11H发光峰进行指认,并拟 ...
    • InGaN/GaN多量子阱中载流子的输运及复合特性研究 

      梁明明 (2014-12-05)
      GaN基半导体是宽禁带、直接带隙材料,具有优异的光电特性和稳定的化学性能,已被广泛的应用于发光二极管(LED)、激光二极管(LD)以及光电探测器等光电子器件。目前,GaN基蓝光和绿光LED已经在信号灯、大屏幕显示、景观照明等领域实现了大规模应用,基于蓝光LED的高亮度白光LED已成为继白炽灯和荧光灯之后的第三代照明光源,GaN基蓝紫光LD已被广泛应用于高密度光存储、激光医疗以及科学测量等领域。作为GaN基光电子器件的核心部分,InGaN ...
    • InGaN/GaN多量子阱垂直结构太阳能电池研究 

      余健 (2016-03-22)
      近年来,以氮化镓(GaN)、氮化铝(AlN)和氮化铟(InN)为代表的第三代半导成为国际研究热点。它们具有吸收系数高、迁移率高、抗辐射能力强等特性,是很好的光伏材料。合金材料InGaN的带隙可调,其光谱响应区域可覆盖大部分太阳光光谱,是高效率太阳能电池的理想材料。垂直结构的InGaN太阳能电池具有电流分布均匀且可通过生长底部反射镜的方法减少光透过损失的特长受到极大关注。在本文研究中,我们对垂直结构InGaN/GaN多量子阱太阳能电池的制 ...
    • InGaN/GaN多量子阱太阳能电池的制备及其特性研究 

      王宇 (2014-12-04)
      作为第三代半导体材料,InGaN凭借其优异的光伏特性,近年来已成为国际上关注的热点。InxGa1-xN合金不仅具有连续可调的直接带隙结构(0.7~3.4eV),其吸收光谱几乎与太阳光谱完美匹配,还具有高吸收系数、高电子迁移率、高硬度、耐高温、抗辐射能力强等优点,是实现全光谱太阳能电池的理想材料,在高效太阳能电池方面展现出了巨大的发展潜力。本文以InGaN/GaN多量子阱太阳能电池为核心,在材料表征、器件制备、性能测试、极化效应对器件的影 ...
    • InGaN中相分离及其抑制的研究 

      郑江海 (2006-09-29)
      InGaN半导体的带隙基本上覆盖了整个可见光波段,还包含了部分红外波段,在光电器件和光存储器件方面都有着广泛的应用。目前,影响其未来发展的几个难题,包括晶体质量、发光机制和相分离现象,深受大家的关注并需要迫切解决。本论文通过计算模拟和实验研究,并结合前人的研究,全面深入地考察了InGaN中相分离的有关问题,分析其性质、阐明其物理机制,进而讨论其抑制方法及其对InGaN发光的影响等。首先从热力学基础出发,着重分析了相分离与自由能变化量的关 ...
    • InGaN低维材料载流子动力学研究及及GaN基绿光垂直腔面发射激光器制作 

      翁国恩 (2016-03-22)
      GaN基宽禁带半导体材料是直接带隙半导体材料,复合效率高,且具有优异的物理、化学特性,其合金材料的禁带宽度可以从0.7eV到6.2eV连续可调,对应的光波长覆盖了红外-可见-紫外光范围,已被广泛应用于制作高效率半导体光电器件,特别是蓝绿光波段的发光器件。尽管GaN基发光器件,如发光二极管(LED)、激光二极管(LD)等,已经实现商业化并持续快速发展,但对于器件的核心组成部分——有源区的光学性质以及载流子动力学的研究还相对滞后。为了进一步 ...
    • InGaN太阳能电池制备及其光伏特性研究 

      曾绳卫 (2011-01-12)
      III族氮化物(InN、GaN、AlN及其合金)由于其良好的光、电学特性已被广泛应用于制作短波长光电器件。近几年来,由于InGaN材料表现出来的优越的光伏特性,如禁带宽度大小可调(对应的光波长几乎覆盖整个太阳光谱)、电子迁移率高、吸收系数大、抗辐射能力强等,吸引人们探索其在高效率太阳能电池方面的应用。在本论文中,我们制作具有不同p-接触方案的InGaN同质结太阳能电池,并研究电池在不同In组分、照射光强度、环境温度下的光电响应特性。具体的研究内容如下: ...
    • InGaN太阳能电池的制备及特性研究 

      雷廷平 (2013-12-13)
      Ⅲ族氮化物宽禁带材料的研究与应用是目前半导体行业的前沿和热点,主要包括GaN、InN、AlN及其三元和四元合金(InGaN,AlGaN,InAlN和AlInGaN)。其中InGaN材料以其优越的光伏特性,迅速成为近年来国际上的研究热点。它具有连续可调的宽带隙(0.65eV~3.42eV),其吸收光与太阳光谱几乎完美匹配,在整个组分范围内均为直接带隙材料,还具有高电子迁移率、高吸收系数、高硬度、强抗辐射能力等优点,在发展高效多节电池和空间 ...
    • InGaN太阳能电池的制备及特性研究 

      蔡晓梅 (2013-12-13)
      Ⅲ族氮化物宽禁带材料的研究与应用是目前半导体行业的前沿和热点,主要包括GaN、InN、AlN及其三元和四元合金(InGaN,AlGaN,InAlN和AlInGaN)。其中InGaN材料以其优越的光伏特性,迅速成为近年来国际上的研究热点。它具有连续可调的宽带隙(0.65eV~3.42eV),其吸收光与太阳光谱几乎完美匹配,在整个组分范围内均为直接带隙材料,还具有高电子迁移率、高吸收系数、高硬度、强抗辐射能力等优点,在发展高效多节电池和空间 ...
    • InN与InGaN薄膜材料的光学特性研究 

      叶春芽 (2016-12-20)
      随着人类社会进入信息化社会,信息量飞速增长。为适应生活的需求以及时代的要求,以半导体为代表的材料和器件迅速发展,遍及人类生活的各个领域。InN与InGaN材料因其带隙随In组分x变化从0.7到3.4eV连续可调,其对应的吸收光谱的波长从紫外部分(365nm)可以一直延伸到近红外部分(1770nm),几乎完整地覆盖了整个太阳光谱,这为设计新型太阳能电池、超高亮度发光二极管(LED)以及全彩显示提供了极大的可能,所以InN与InGaN材料近 ...
    • InN材料在In(0001)极性面的生长动力学 

      黄强灿 (2012-11-15)
      InN具有较小的有效电子质量、较高的饱和电子漂移速度与电子迁移率等性质,使得其有望制备超高速、超高频电子器件以及高效太阳能电池。然而,InN的低分解温度和高熔点蒸汽压、生长过程中团簇效应等问题,导致制备高质量材料的困难。针对该问题,本文从第一性原理出发,模拟计算了InN的In极性面上动力学生长过程;提出了新的MOVPE生长方法,通过相关表征证实了该方法的有效性。主要成果如下: 首先,计算了不同覆盖度的N和In吸附原子在干净In极性面不同 ...
    • InP基PIN-HEMT光接收机的理论、设计及其关键工艺研究 

      谢生 (2017-05-20)
      随着社会发展的高度信息化,对光纤通信系统的速度和容量的要求也越来越高。混合集成电路因寄生参数的影响已无法满足系统进一步扩容的要求,而单片集成是将激光器、探测器和调制器等有源光电子器件和高速电子器件集成在同一衬底上,降低了器件互连的距离,最大限度地消除了寄生参量的影响。因此,电路整体的工作频率和带宽大大地提高了。另外,与混合集成电路相比,单片集成电路在小体积、低成本、高可靠性、和多功能等方面具有更大的优势。因此,光电器件的单片集成(OEI ...
    • In在极性半导体AlN生长过程中的表面活性剂效应 

      庄芹芹 (2011-01-12)
      为了实现高功率的AlN基深紫外LED,提高AlN晶体的质量非常关键。除了优化生长条件、改进生长步骤外,表面活性剂的使用也是提高AlN质量的有效方法之一。本文围绕Al和N极性AlN生长和表面特性的差异,尤其是In在其生长过程中的表面活性剂效应,结合第一性原理计算模拟方法、MOVPE生长技术以及材料表征方法,从理论预测和实验验证两方面开展了系统的研究,主要取得如下成果: 各种Al和N极性AlN表面结构的计算模拟结果表明,Al极性AlN比N极 ...
    • IPTV标准终端架构与差异化业务服务的开发与研究 

      周有喜 (2009-11-24)
      随着网络和多媒体技术的发展,传统电视广播服务已经不能满足广大消费者的要求,而IPTV作为三网融合的一种产物,以其技术上的独特优势赢得越来越多用户的认同和使用。IPTV是利用宽带网络,集互联网、多媒体、通讯等多种技术,向家庭用户提供包括数字电视在内的多种交互式服务的崭新技术。它能够很好地适应当今网络飞速发展的趋势,充分有效地利用网络资源。 本文将讨论IPTV中面临的问题和讨论相应的各种技术的优缺点。IPTV是一个新兴的领域,因此在实际中还 ...