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    • N+P常规硅太阳电池退火效应的研究 

      陈昆 (1990-03-08)
      质量较差的单晶硅材料经过常规工艺制成太阳电池后少子扩散长度大幅度减小,严重地影响乐太阳电池的光电转换效率。本文研究乐扩散成结后的退火处理对N+P常规硅太阳电池所产生的影响,发现退火处理可以提高太阳电池的转换效率,550℃的退火可使效率达到峰值。暗J——V特性和弱光照开路电压谱的拟合计算结果表明退火会使太阳电池暗电流的三各分量都发生显著变化,会使基区少子扩散长度部分恢复,长波光谱响应提高。根据这些计算结果合DLTS,IR测量结果,文中分析 ...
    • NaGd0.3Yb0.7F4:Er亚微米晶粒在帽型金属腔内的上转换发光增强 

      吕梦云 (2016-12-22)
      镧系掺杂上转换发光材料因其独特的发光性质在太阳能电池、生物医学等众多领域都具有广阔的应用前景,但其相对较低的发光效率一直是阻碍大规模应用的主要原因。因此寻找合适的手段来高效地提高材料的上转换发光效率是目前的研究热点。研究表明,通过金属微纳结构的表面等离激元可以有效提高材料的上转换发光效率。理论计算显示,当等离激元微腔的尺寸在约200~350nm之间时会形成可见光区的腔模,有可能进一步增强镧系离子的上转换发光。而目前通过主流合成方法获得的 ...
    • NaGdF4:Er3+,Yb3+的可控合成及上转换发光研究 

      关腾鹏 (2014-12-04)
      稀土上转换荧光材料因其独特的光学性能,在集成光学、太阳能电池、生物医学成像等诸多领域有着广阔的应用前景。前期的研究发现其发光性能与材料的形貌、尺寸及晶体结构有着密切联系。因此稀土上转换荧光材料的可控合成对于扩大其应用范围具有重要的现实意义。本文选取NaGdF4为基质材料,并以溶剂热合成法为合成上转换纳米晶的基本方法。通过改变合成温度,螯合剂用量及Yb3+的掺杂浓度,合成了具有不同形貌和尺寸的NaGdF4:Er3+,Yb3+纳米晶。并对上 ...
    • NiGe(Si)薄膜的热稳定性及其与Ge(Si)接触电学特性研究 

      汤梦饶 (2013-12-16)
      SiGe和Ge材料拥有比硅材料更高的载流子迁移率且与硅工艺相兼容等优点,是制备高速器件的理想材料。Ni(Si1-xGex)和NiGe合金具有低的薄膜电阻率和低的形成温度等优点,是实现SiGe或GeMOSFET器件源漏区的重要接触电极材料。本文围绕Ni(Si1-xGex)和NiGe薄膜的热稳定性以及Ni(Si1-xGex)/SiGe和NiGe/Ge的接触电学特性,较系统地研究了Ni(Si1-xGex)形成过程中Ge的偏析、相变和表面形貌等 ...
    • P-AlGaAs/p-GaAs/n-GaAs异质面太阳电池的研究 

      王子琦 (1986-06-08)
      用LPE法制备了P-AlGaAs/p-GaAs/n-GaAs异质面太阳电池,测量了电池的效率。短路电流,开路电压,光谱响应SR。暗J-V特性及未做电极的中间工序样品的光伏谱。推导了太阳电池SR和暗J-V的理论公式。得短波段、中波段、和长波段SR的简化公式,从简化的SR公式中可求得四个参数的近似值。根据上面的公式用改进阻尼最小二乘法分别对不同η电池的SR、暗J-V进行拟合。在0.46-0.90μm波段SR的拟合值与测量值符合得很好,证实了 ...
    • p-GaN退火对GaN基LED外延材料及器件性能的影响 

      孙丽 (2013-12-16)
      GaN基宽禁带半导体材料具有优异的物理和化学性质,已被广泛用于全彩显示、信息指示和照明领域,成为当今半导体技术发展的热点。目前,GaN及GaN基器件的研究已经取得了巨大的进展,但是GaN的生长和器件制备方面还存在一些困难。p型掺杂困难是限制GaN基材料和器件发展的主要因素之一。热退火是用于提高p型GaN空穴浓度的常用方法,但具体的实验条件还有待进一步优化。本文针对GaN基材料的p型掺杂问题,将GaN基LED样品分别在800℃,N2氛围下 ...
    • p-i-n结构4H-SiC紫外光电二极管单管及一维阵列的研制 

      陈厦平 (2007-12-12)
      碳化硅(SiC)材料作为高温、高频以及大功率电子器件制备的理想半导体材料,近年来越来越受到世界各国的广泛关注。由于4H-SiC材料的宽带隙(~3.26eV),用其制备的紫外光电探测器将具有可见盲/日盲特性,并且在高温条件下4H-SiC光电探测器的暗电流也比传统硅基探测器要低几个数量级。因此,4H-SiC材料被认为是制备紫外光电探测器的首选材料,所制备的紫外光电探测器可在极端条件下应用于生化检测、可燃性气体尾焰探测、臭氧层监测、短波通讯以 ...
    • PbTe与石墨烯体系的热电性能研究 

      徐兰青 (2012-11-15)
      本论文通过第一性原理能带计算和Boltztrap输运性能分析研究了以PbTe为主的若干种材料的热电性能,并提出了基于压强调控和结构设计的热电性能优化方案,以期获得更高热电优值的PbTe基热电材料。 在绪论里我们介绍了PbTe、石墨烯等材料的热电研究和热传导研究背景,以及 本论文选题的出发点。 在第二章里我们介绍了在刚性能带近似和固定弛豫时间近似下基于Boltamann输运理论的材料热电性能参数的计算方法,同时给出了第一性原理和分子动力学方法中的相关概念。 ...
    • PECVD制备a-SiC:H薄膜及激光退火研究 

      黄俊 (2009-11-24)
      碳化硅(SiC)材料由于具有禁带宽度大、电子饱和漂移速度高、电子迁移率高、临界击穿电场高、热导率高、介电常数小、化学稳定性好等优良的物理化学性质,成为制备高温、高频、大功率及抗辐照的半导体器件的优选材料。本文介绍了碳化硅薄膜的制备方法、实验测量及激光退火研究。本文首先利用等离子增强化学气相沉积(PECVD)方法在P型Si(100)衬底上生长氢化非晶碳化硅(a-SiC:H)薄膜,制备的薄膜表面均匀平整,结构致密,且与衬底粘附性好。通过改变 ...
    • PECVD生长类金刚石薄膜的电学性质研究 

      陈明文 (2008-12-26)
      类金刚石膜(Diamond-likecarbon),是一种非晶态的碳材料。由于具有许多同金刚石相近的性质,类金刚石膜技术已经在很多领域得到应用。掺杂的DLC膜作为一种半导体材料,其禁带宽度在1—4eV内可调,可以在太阳能电池、光电探测器等光电器件领域得到应用。在现有的DLC电学性质研究中,DLC与金属的接触采用Al,Au等金属,并假设DLC与金属的接触为欧姆接触,还没有发现证实Al,Au与DLC形成欧姆接触,或者探索其他金属与DLC之间接触性质的研究。 ...
    • PFT NMR FX-100 核磁共振波谱仪 

      刘朝阳 (1996-05-02)
      本课题是.FX-100波谱仪改造的重要一部分,主要任务是 更换原有的计算机系统及相应的外围电路;同时选用了DSP 处理器,利用其高速输入输出能力,将原来用硬件实现的多 项功能改用软件实现,以提高谱仪的可靠性和灵活性。论文 主要分为七部分: 首先,在绪论部分简要介绍了谱仪改造的意义和工作要 点。然后,对核磁共振的基本原理进行了阐述。 接下去,在第三部分分析了数字信号处理器件和所使用 的开发/高速处理权进行。数字信号处理器作为一种新型的 ...
    • PFT-NMR FT-80A二维(J)谱数据处理系统软件的设计 

      朱立秒 (2007-10-29)
      本课题为FT-80A核稚共振波谱仪改造工作的一部分。工作从89年10月开始,在指导教师曾权副教授的精心指导,Varian仪器服务站张增兆高工的热情帮助、直接指点下,从核磁共振的基本原理开始,学习二维谱的原理及其数据处理方法,FORTH语言,熟悉已有的一维数据处理系统的程序结构,有关单词的功能、调用方法,在此基础上,完成了二维(J)谱的数据处理及显示、绘图程序的设计。
    • PPP及其烷氧基衍生物的能带结构研究 

      陈志彬 (2006-06-08)
      近年来,电致发光聚合物的分子设计、合成以及聚合物发光机理和EL器件的研究成为最具有活力的领域之一。在众多有机聚合物发光材料中,聚对苯撑(PPP)是一类具有宽禁带宽度的共轭聚合物材料(禁带宽度大于3eV),由于其发光波长处于蓝光范围,且具有较高的发光效率,因此成为了当前蓝光材料研究的一个热点。但是,PPP具有难熔、不溶于大多数有机溶剂的特点,使其难于加工和成膜。为了提高PPP的可加工性,人们采用在共轭主链上引入不同的取代基以改变其带隙(E ...
    • PPV电致发光器件的研究 

      张伟 (2005-06-14)
      自从1989年剑桥大学R.Friend等人首次发现了有机聚合物电致发光以来,聚合物电致发光器件(PLED)的研究就成为信息显示科学与技术的热门课题。由于它具有低电压驱动、高亮度、高效率、高对比度和较快的转换速度等优点,应用柔性塑料衬底制作超薄的大面积显示屏已经成为可能,并且性价比高,所以它的研究进展很快。但是,它自身性能也有一些需要改进的地方,如寿命短,效率和亮度还有待进一步提高等。因此,现在很多研究者都在不断的为提高PLED的性能而努 ...
    • PZT薄膜材料的生长与应用 

      包达群 (2009-11-24)
      随着铁电薄膜和微电子技术相结合而发展起来的集成铁电学的出现,铁电薄膜的制备、结构、性能及其应用已成为国际上新材料研究十分活跃领域,其中钙钛矿结构的锆钛酸铅Pb(Zrx,Ti1-x)O3(PZT)铁电薄膜由于具有优越铁电、介电、压电、热释电以及能够与半导体技术兼容等特点,使之在微机电系统(MEMS)等领域具有广泛的应用前景。由于基于PZT的器件具有工作带宽广、反应速度快和灵敏性高等优点,因此PZT薄膜可以用于MEMS领域的各个方面,例如压 ...
    • RAM芯片测试系统及其专用芯片设计 

      李伍松 (2005-09-28)
      本文的工作是研究开发一套检测存储器芯片性能的测试平台系统,主要设计一款用于该系统中的关键专用芯片。本测试平台系统是用于对电子系统中广泛应用的外挂式存储器进行自动检测,它可根据测试人员的要求对测试数据进行配置,选定相关检测方法进行检测,具备了高效率、高覆盖率和可配置性等特点。为了具体介绍所要设计专用芯片的功能内容和技术原理,本文首先介绍了芯片检测技术现状,接着说明存储器的电路原理、故障类型和常用的存储器检测方法,然后针对外挂式RAM芯片检 ...
    • RF MEMS开关电介质充电特性的研究和硅基MEMS红外光源的制备 

      伞海生 (2008-12-26)
      第一部分:射频微电子机械(RFMEMS)开关电介质充放电特性调查 RFMEMS电容开关在商业、航空和军事领域有巨大的应用前景.。然而,它们的商业化一直受阻于可靠性问题:电介质充电效应引起开关致动部分发生不可逆的粘连现象。在本论文中,我们使用金属-电介质-半导体(MIS)结构去调查开关电介质层电荷积累的问题。通过对MIS结构施加电压负载,然后测量电容-电压(C-V)曲线的变化,我们能够研究电介质的充放电特性。对氮化硅(SiNx)介质进行直 ...
    • Robertson-Walker宇宙在源分别为标量场和Higgs场的量子共形涨落 

      张志鹏 (1986-07-11)
      本文用路径积分方法,在保留时空光锥的经典结构不变的情况下,将度规张景的共形变量量子化。分析了Robertson-walker宇宙在源分别为共形不变标量场及共形耦合Higgs场的子共形涨落。在两种源情况下,均得到在经典奇异点处,量子共形流落发散的结论。
    • Savonius型风力机的优化设计与模拟分析 

      谢晶 (2011-01-12)
      在能源危机、环境污染的背景下,大力发展清洁能源已成为社会进步的需要。风能作为储量丰富的可再生能源之一,也受到日益重视。本文以吸收风能转换为机械能的风力机为研究对象,对传统Savonius型垂直轴风力机进行优化设计和流场模拟分析。主要研究成果如下: 1.综合多种叶片设计方法,找寻最佳的叶片数目、高径比和折叠率等几何参量,并设计导风帘装置,作为风的偏转盘,置于Savonius型风力机前端,减小作用在凸起叶片上的负转矩值,让风更集中的吹向凹下 ...