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    • H.323 IP电话中网守代理功能的研究 

      张一巍 (2003-06-09)
      随着电信技术的发展,以电路交换为基础的传统电信网络已经逐渐不能满足需要,另一方面,以包交换为基础的IP网络已经在世界范围内广泛使用。传统的电信网络与IP网络的融合成为下一代网络(NGN:NextGenerationNetwork)发展的趋势。VoIP(VoiceOverIP)是向NGN过渡中出现的一种用于结合传统电信网络与IP网络的电信技术。其主要原理就是通过现有的IP网络来传输语音,来代替传统的电路交换的传输方式。较之传统的电路交换, ...
    • HfO2/Ge界面钝化技术及Si基Ge量子阱MOSFET的研究 

      刘冠洲 (2012-11-15)
      SiCMOS尺寸缩小的难度和成本日益增加,高迁移率的Ge沟道MOSFET的研究得到了迅速发展,Ge沟道高k介质MOSFET成为下一代CMOS技术可能的选择之一。然而HfO2/Ge结构面临着界面态密度过高导致MOSFET有效迁移率退化等问题,因此必须对其界面进行有效的钝化处理来抑制界面态的产生。另一方面,研究发现通过引入应变、调制掺杂和量子阱结构可以极大的提高Ge沟道的迁移率。 本文采用Si钝化、GeO2钝化和湿法退火等方法来减小HfO2 ...
    • HIV致病机制及内噪音对药物治疗的影响 

      郑娴 (2011-11-03)
      人体从感染HIV到最终发展为艾滋病历经“急性-潜伏-症状”三个阶段。目前有多种动力学模型试图分析HIV的致病机制,其中最具代表性的有确定性方程模型、自动元胞机模型、交叉识别模型等。本文在第一部分中通过总结分析各种不同理论,讨论这些模型相应的重要贡献和各自所存在的缺陷。特别是对Wang-Deem模型进行了深入的讨论,指出在该模型中,T细胞之间的相互抑制才是导致病毒逃避免疫系统的关键。 药物治疗后,患者体内病毒量变化呈现三个阶段的特点,病毒 ...
    • Hopfield神经网络的优化及转移矩阵在二维半柔软聚合物研究中的应用 

      周震 (2006-06-05)
      摘要本文主要分为两个部分,第一部分为用蒙特卡罗变异优化选择规则优化Hopfield神经网络,第二部分为转移矩阵在二维半柔软聚合物研究中的应用。第一部分研究表明蒙特卡罗变异优化选择规则可以用来优化神经网络的性能。在第一部分我们以Hopfield网络为例,运用蒙特卡罗变异优化选择规则在保持网络的整体结构基本不变的情况下,优化Hopfield神经网络的动力学特性,提高网络的存储功能和存储质量。在优化后的网络中,每个记忆模式都被严格设计成网络的 ...
    • Hyshot超燃冲压发动机的CFD数值模拟研究 

      陈明 (2013-12-16)
      本文针对澳大利亚Hyshot超燃发动机试验,分别对冷流、喷氢气无燃烧、燃烧三种工作条件进行了二维和三维数值模拟。目的是为了观察该发动机中燃烧前后的波系结构和激波诱导燃烧现象;尝试不同方法,来提高超燃发动机的燃烧效率和净推力,为超燃发动机的设计和实验提供参考。 在网格无关性的基础上,验证不同湍流模型对超燃发动机流场模拟的准确性;分析入口湍流强度变化对流场内湍流参数的影响;二维冷流模拟与试验结果吻合良好,利用二维结果详细分析超燃发动机中激波 ...
    • ICCD探头式糖液浓度计的设计 

      孙以峰 (1996-07-15)
      本课题是ICCD探头式糖液浓度计的设计,本课题所要设计的仪 器不同于现有的光电折光计,其主要任务是应用电荷耦合器件(Charge CoupledDevices,简称CCD)作为光电器件,利用其高位数移位寄存 器的高分辨率和高速扫描输出的特点,设计一种在单片机的控制下能 够在线、快速、连续地测量,结果直接显示的光电折光计。仪器具有 自动显示浓度和折射率两种结果的双重功能,其应用范围将会十分广 泛。本文共分九个部分 第一章概述了光电折光计的 ...
    • ICP刻蚀SiC机制及表面损伤的研究 

      吕英 (2008-12-26)
      刻蚀是SiC器件制备过程中的一项关键工艺。由于SiC材料的高硬度及稳定的化学性质,普通的湿法刻蚀无法获得可行的刻蚀速率。目前,常采用的SiC刻蚀方法多为等离子体干法刻蚀,其中,ICP刻蚀由于具有可同时提供较高的等离子体密度及独立的衬底偏压源控制的特点,在较低的衬底偏压下即可获得合适的刻蚀速率,从而可以获得较低的刻蚀损伤,因此ICP刻蚀在SiC器件制备中得到广泛的应用。 本文采用CF4/O2作为刻蚀气体,研究了不同刻蚀参数(包括:工作压强 ...
    • IC卡预收费式煤气表的研制 

      应海萍 (2018-06-11)
    • III族氮化物半导体中极化场的调控 

      李金钗 (2008-12-26)
      III族氮化物半导体在短波长高亮度发光二极管、高功率激光器、高灵敏度光探测器、以及高温大功率电子器件等方面有着广泛的应用前景。不同于传统的III-V族化合物半导体,纤锌矿结构的III族氮化物半导体具有极强的自发极化和压电极化效应。极化效应在III族氮化物的应用中起着双刃的作用,既有其危害处也有其得利处。对III族氮化物半导体中的极化场加以调控,避其短扬其长,是人们渴望深入了解的课题。本论文围绕III族氮化物半导体的极化效应和极化场调控, ...
    • III族氮化物应变量子结构及其特性调控 

      林伟 (2011-01-11)
      随着半导体材料和器件的提高,人们越来越注重节能和环保。对信息处理、传输、存储等速度的要求也日益提高,以Si和Ge为代表的第一代以及以GaAs为代表的第二代半导体己经难以满足人们对短波长光电子半导体材料和器件需求。III族氮化物半导体体系以其晶格常数和直接带隙可调范围广、结构稳定性和临界击穿电压高等独特的优势,成为开发短波长光电子器件最重要的半导体材料。其核心结构之一异质结构,如超晶格、量子阱、量子线、以及量子点等。由于III族氮化物极强 ...
    • III族氮化物材料弱极性晶面量子阱的生长及其光电特性的研究 

      曾凡明 (2016-12-20)
      III族氮化物半导体材料具有许多优良的性质,其纤锌矿结构晶体具有宽禁带,直接带隙,化学特性稳定,耐高温,质地坚硬等特点。近十几年对其的研究取得了瞩目的成果,商业价值巨大。具体应用包括显示,照明,存储,探测器,通讯,农作物生长照明,医疗健康,以及电力电子器件等领域。尽管如此,III族氮化物材料在发光器件应用领域仍然面临许多需要解决的问题,例如:电极化效应,高缺陷密度,光提取效率低,droop效应,GreenGap等。 为了改善上述问题,科 ...
    • II型异质纳米结构太阳能电池研究 

      王伟平 (2017-12-27)
      随着经济的高速发展与人口数量的持续增长,人类社会对能源的需求越来越大,传统化石能源的大量消耗不仅引发能源危机,更对环境造成了严重破坏。太阳能因其具有储量大、无污染又无地域限制等优点引起社会的广泛关注,它的开发与应用必将引领世界能源产业与能源结构的重大变革。自上世纪中叶第一块硅太阳能电池问世后,硅基太阳能电池有了较大的发展,目前,其在光伏产业市场中占据主要地位,但较高的发电成本限制其大规模商业化应用。为获得廉价且高效的太阳能电池,基于II ...
    • InAs自组织量子点的光学性质研究 

      孔令民 (2005-07-10)
      由于半导体量子点具有零维电子特性,它不仅成为基本物理研究的重要对象,也成为研制新一代量子器件的基础。正因如此,量子点材料及器件成为目前国际上最前沿的研究课题之一。GaAs基InAs自组织量子点因其成本低廉、器件工艺成熟,成为替代InP基材料、制备光纤通信用1.3-1.55µm发光激光器的热门材料之一。本文采用分子束外延技术制备了高质量的GaAs基InAs自组织量子点材料。利用原子力显微镜(AFM)、扫描电子显微镜(SEM)、 ...
    • InGaAsN量子阱发光性质的研究 

      林雪娇 (2004-06-09)
      针对InGaAsP/InP1.3-1.55μm长波长激光器具有温度特性差的缺点,近年来提出了InGaAsN/GaAs新型结构材料。它可以用于制造高性能的长波长垂直腔面发射激光器(VCSEL)。因此,近年来InGaAsN材料成为长波长光电器件的一个重要研究课题。 本文通过高分辨率X-射线衍射(HRXRD)实验与拟合得到In的组分和量子阱的阱宽。结合理论计算对光致发光(PL)谱中InGaAs和InGaAsN量子阱的11H发光峰进行指认,并拟 ...
    • InGaN/GaN多量子阱中载流子的输运及复合特性研究 

      梁明明 (2014-12-05)
      GaN基半导体是宽禁带、直接带隙材料,具有优异的光电特性和稳定的化学性能,已被广泛的应用于发光二极管(LED)、激光二极管(LD)以及光电探测器等光电子器件。目前,GaN基蓝光和绿光LED已经在信号灯、大屏幕显示、景观照明等领域实现了大规模应用,基于蓝光LED的高亮度白光LED已成为继白炽灯和荧光灯之后的第三代照明光源,GaN基蓝紫光LD已被广泛应用于高密度光存储、激光医疗以及科学测量等领域。作为GaN基光电子器件的核心部分,InGaN ...
    • InGaN/GaN多量子阱垂直结构太阳能电池研究 

      余健 (2016-03-22)
      近年来,以氮化镓(GaN)、氮化铝(AlN)和氮化铟(InN)为代表的第三代半导成为国际研究热点。它们具有吸收系数高、迁移率高、抗辐射能力强等特性,是很好的光伏材料。合金材料InGaN的带隙可调,其光谱响应区域可覆盖大部分太阳光光谱,是高效率太阳能电池的理想材料。垂直结构的InGaN太阳能电池具有电流分布均匀且可通过生长底部反射镜的方法减少光透过损失的特长受到极大关注。在本文研究中,我们对垂直结构InGaN/GaN多量子阱太阳能电池的制 ...
    • InGaN/GaN多量子阱太阳能电池的制备及其特性研究 

      王宇 (2014-12-04)
      作为第三代半导体材料,InGaN凭借其优异的光伏特性,近年来已成为国际上关注的热点。InxGa1-xN合金不仅具有连续可调的直接带隙结构(0.7~3.4eV),其吸收光谱几乎与太阳光谱完美匹配,还具有高吸收系数、高电子迁移率、高硬度、耐高温、抗辐射能力强等优点,是实现全光谱太阳能电池的理想材料,在高效太阳能电池方面展现出了巨大的发展潜力。本文以InGaN/GaN多量子阱太阳能电池为核心,在材料表征、器件制备、性能测试、极化效应对器件的影 ...
    • InGaN中相分离及其抑制的研究 

      郑江海 (2006-09-29)
      InGaN半导体的带隙基本上覆盖了整个可见光波段,还包含了部分红外波段,在光电器件和光存储器件方面都有着广泛的应用。目前,影响其未来发展的几个难题,包括晶体质量、发光机制和相分离现象,深受大家的关注并需要迫切解决。本论文通过计算模拟和实验研究,并结合前人的研究,全面深入地考察了InGaN中相分离的有关问题,分析其性质、阐明其物理机制,进而讨论其抑制方法及其对InGaN发光的影响等。首先从热力学基础出发,着重分析了相分离与自由能变化量的关 ...
    • InGaN低维材料载流子动力学研究及及GaN基绿光垂直腔面发射激光器制作 

      翁国恩 (2016-03-22)
      GaN基宽禁带半导体材料是直接带隙半导体材料,复合效率高,且具有优异的物理、化学特性,其合金材料的禁带宽度可以从0.7eV到6.2eV连续可调,对应的光波长覆盖了红外-可见-紫外光范围,已被广泛应用于制作高效率半导体光电器件,特别是蓝绿光波段的发光器件。尽管GaN基发光器件,如发光二极管(LED)、激光二极管(LD)等,已经实现商业化并持续快速发展,但对于器件的核心组成部分——有源区的光学性质以及载流子动力学的研究还相对滞后。为了进一步 ...
    • InGaN太阳能电池制备及其光伏特性研究 

      曾绳卫 (2011-01-12)
      III族氮化物(InN、GaN、AlN及其合金)由于其良好的光、电学特性已被广泛应用于制作短波长光电器件。近几年来,由于InGaN材料表现出来的优越的光伏特性,如禁带宽度大小可调(对应的光波长几乎覆盖整个太阳光谱)、电子迁移率高、吸收系数大、抗辐射能力强等,吸引人们探索其在高效率太阳能电池方面的应用。在本论文中,我们制作具有不同p-接触方案的InGaN同质结太阳能电池,并研究电池在不同In组分、照射光强度、环境温度下的光电响应特性。具体的研究内容如下: ...