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    • F-P微腔对NaYF4:Er3+,Yb3+纳米颗粒上转换发光的调制 

      郝烨 (2017-12-27)
      由于镧系元素具有激发态能级寿命长、能级呈阶梯分布等特点,镧系掺杂上转换发光材料获得了大量研究者的关注。但由于上转换发光是一个非线性发光过程,其上转换发光效率通常很低,目前人们所采用的增强上转换发光的方法,效果也还比较有限。在此,我们拟通过微腔结构内的光学谐振模式来调控镧系离子上转换发光过程,以此增强发光,并获得单色上转换发光及其增强。本文研究内容主要从以下两方面开展:一是通过法布里-珀罗(Fabry-Perot,缩写F-P)谐振腔结构, ...
    • F-P腔液晶热-光双稳态及腔内温度梯度分析 

      陶玉玲 (1991-06-30)
      本文首先全面回顾了本征型Fabry-Perot腔的光学双稳态 理论,并给出了透射型和反射型光学双稳态的临界功率表达式,首 次分析了在液晶热致折变中同时考虑纵横向热传导对双稳态的 影响,并在此基础上,设计了一个较理想的F-P腔,试验不仅得 到低临界场(十几微瓦)室温光学双稳态,观察到了某些非常有 趣的现象。
    • Fe1-xCox/MgO(001)结构垂直磁各向异性的第一性原理研究 

      蔡官志 (2016-03-23)
      近年来,垂直磁隧道结由于在磁记录、磁随机存储器、微波探测器以及磁敏传感器等方面的广阔应用前景引起人们广泛的关注。其中由单质Fe或者FeCo基合金与单晶MgO(001)结合形成的垂直磁隧道结具有高隧穿磁电阻、高热稳定性、低临界翻转电流的优点,是人们研究的重点。虽然大量的研究取得了丰硕的成果,但是横亘在FeCo/MgO隧道结应用之前的一个重要问题是铁磁层的垂直各向异性难以在较高厚度下保持,提高了材料制备工艺的难度。为此,本文拟研究Fe/Mg ...
    • GaAs1-xPx:N,GaP:N,Zn 束缚激子发光的研究 

      余琦 (2008-04-09)
      第一部分在文在Okbar~32Kbar的压力范围,对GaAs0.15P0.85:N样品的静压光致发光谱进行了研究(77K)。实验结果表明:①孤立N能级Nx在压力下具有深中心浅化的效果;②压力有助于增加孤立N束缚激子的隧穿长度。当P=13.2Kbar时,在2.077ev的能量位置上出现NN1中心发光。随压力增加NN1中心的发光相对孤立N中心的发光迅速增强。压力使孤立N能级浅化,使混晶无序对杂质态的影响减小,是NN1中心发光强度相对于孤立N ...
    • GaAs1-xPx:N中N杂质态发光性质研究 

      肖梅杰 (1995-05-06)
    • GaAs1-xPx混晶中Te施主深中心的研究 

      张文清 (1989-06-10)
      本文主要报告采用DLTS,TSCAP方法对不同组分(·11,·23,·31,·38,·39,·65,·75,·95)的GaAsl-xPx:Te材料进行研究的结果。DLTS,TSCAP实验表明,除X=·11样品外,其余各组分样品都存在施主深中心,它们在DLTS谱表现为A,B1,B2三个多子峰,其中只有A峰出现在组分为·23-·95间的所有样品中,认为它是Te在GaAsP中替代As(p)形成施主相关的Dx中心。B1,B2峰示表现除明显的规律 ...
    • GaAsN混晶的光学性质研究 

      林顺勇 (2004-06-08)
      III-V族化合物半导体是制造固体发光器件的重要材料。GaAsN作为一种新型的掺氮III-V发光材料,由于在远红外到紫外波长范围的光电子器件有广泛的应用前景而倍受人们的关注。GaAsN有着特殊的光电性质,它的带隙宽度不是GaAs和GaN的线性内插关系,而是存在着巨大的带隙弯曲,因此又被称为“反常”混晶。 本文第一章主要回顾了近几十年来对GaAs:N等电子杂质体系的研究历史,介绍了GaAs:N的发光特性以及等电子束缚激子形成的机制等问题。 ...
    • GAL器件在宽度控制系统步进电机控制组件中的应用 

      杨夏 (1998-07-01)
      本文介绍了GAL器件在宽度控制系统步进电机控制组件中的应用。该宽度控制系统主要应用在塑料薄膜生产线上。针对其原先设计中的不足,我们对其宽度测量单元进行了改进,实现了用步进电机作为宽控系统的测量执行部件以代替由圆形径向透射光栅组成的测量单元,提高了系统的工作性能。全文共分六部分。 第一部分是宽度控制系统简介。介绍了吹塑薄膜生产线、塑料薄膜宽度控制系统的工作原理及其性能指标。在宽度控制系统中,8031单片机是控制核心部件,步进电机用作宽度跟 ...
    • GaN LED 器件外延膜的激光剥离的研究 

      黄瑾 (2009-11-24)
      GaN及其化合物是直接带隙半导体材料,它的禁带宽度从1.9eV~6.2eV连续可调,发光范围覆盖了从红色到紫外的光谱,GaN材料是一种理想的短波长发光材料。它主要用于制作蓝、紫、紫外发光二极管(LED),激光器(LD)、紫外(UV)光电探测器等光电子器件。GaN和Si之间的晶片键合和激光剥离工艺可以很方便的实现不同材料的集成,为GaN基材料的外延生长、器件的工艺制作提供一个新的研究方向。 本文利用键合和激光剥离技术,实现了Φ2英寸GaN ...
    • GaN 基发光二极管芯片及封装体的可靠性研究 

      时军朋 (2016-03-23)
      GaN基发光二极管相对于传统照明方式有体积小、效率高、寿命长、节能、环保、可靠性高等优点,被认为是第四代光源。目前LED在一般照明、路灯、商业照明、背光等方面得到了广泛的应用。在LED发展过程中,一直关注的两个重要方面是亮度的提升和可靠性的改善。本论文就LED芯片的可靠性和封装体的可靠性两部分进行了研究。 一、关于LED芯片的可靠性,针对实际设计、生产中存在的几个问题进行了研究。目前主要的芯片类型有三种:正装芯片、垂直芯片和倒装芯片。本 ...
    • GaN与蓝宝石衬底上的ZnO薄膜生长和性能 

      吴雪峰 (2012-11-15)
      近年来,氧化锌(ZnO)成为继氮化镓(GaN)之后,受到广泛研究的宽禁带半导体材料,其在紫外发光二极管器件和激光器等方面有良好的应用前景。高性能的器件取决于高质量的ZnO薄膜材料。所以生长高质量的ZnO单晶薄膜具有重要的意义。 本论文利用分子束外延(MBE)在蓝宝石上生长ZnO薄膜,通过引入单层MgO缓冲层,单层ZnO缓冲层及多层缓冲层,改变生长温度等,探讨提高ZnO薄膜质量的方法。分析MgO缓冲层生长在蓝宝石上的形貌结构特性,发现低温 ...
    • GaN基LED中Efficiency droop 效应的抑制与研究 

      叶大千 (2017-12-27)
      氮化镓(GalliumNitride,GaN)基III-V族材料禁带宽度(0.7eV-6.2eV)可以覆盖紫外、可见、红外光波段,而且具有很高的光电、电光转换效率,使得其在发光二极管(LightEmittingDiode,LED)、激光器(LaserDiode,LD)、探测器(Photodetector,PD)以及太阳能电池(SolarCell)等光电器件领域有广泛的应用。本文以GaN基LED的需求为出发点,利用金属氧化物化学气相沉积( ...
    • GaN基LED中光效下降的研究 

      王洪炜 (2017-12-28)
      LED被认为是第三代高效节能的绿色固态照明光源,近年来发展特别迅速并已产业化,其光效不断提高,价格不断下降,已广泛进入了人们的日常生活中,逐步替代白炽灯照明,并将最终淘汰荧光灯、节能灯等照明产品。目前以GaN基材料为主的量子阱结构LED最显著的问题是随着注入电流的增加,其光效逐渐下降,即光效Droop效应。特别是大功率LED,光效Droop效应的问题更严重。因此,掌握其机理并降低光效Droop效应是实现LED固态照明应用亟待解决的科学问 ...
    • GaN基LED中有源区的极化场调控 

      刘威 (2013-12-16)
      本论文围绕GaN基LED中InGaN/GaN量子阱有源区的极化场调控,通过变温(10K-300K)光致发光测试与薛定谔-泊松方程自洽求解法研究与In组分浓度大小和梯度方向、阱宽、垒宽相关的极化场,分析其对内量子效率、载流子寿命、激活能、峰值波长的影响。提出基于In组分在阱层渐变量子阱结构,通过减小势垒厚度,降低极化场,提高GaN基LED发光效率的方法;并从理论上证明,In组分渐变量子阱结构可用于研制高发光效率GaN基绿光LED。 ...
    • GaN基LED中极化效应的研究与应用 

      郑清洪 (2009-11-24)
      本论文结合科研项目,针对III-V族氮化物中存在的极化电场,自洽求解薛定谔方程和泊松方程。提出了利用及消除极化电场的方法,为GaN基LED工艺优化提供理论基础,并通过实验降低p型GaN欧姆接触电阻,提高LED的内量子效率。所做的研究工作主要分三个部分:计算机模拟极化电场影响下,量子阱和超晶格中的一维薛定谔方程和柏松方程的自洽求解。计算得到电子和空穴的各级本征函数和本征值,该方法可以推广到求解任意势中的定态薛定谔方程。根据极化电场使能带发 ...
    • GaN基LED器件中多物理场的耦合及其应用 

      杨旭 (2013-12-16)
      GaN基LED技术的迅速发展带来了照明技术新的革命,使人们的生活进入了固体照明时代。随着LED光效的提升,要求器件具有更大的尺寸和更高的注入电流。如何在大功率的工作条件下,仍能保持并进一步提升器件的光电转换效率,对器件结构设计提出了更大的挑战,也成为了近年来的研究热点。 本论文详细介绍了影响器件性能最为重要的三个物理场因素:电场、热场以及光场。在归纳总结了正装、倒装及垂直结构LED的电流分布解析模型的基础上,提出了改善电流分布均匀性的器 ...
    • GaN基LED外延片的激光改性及其低工作电压、高发光效率芯片的研制 

      黄生荣 (2015-04-17)
      GaN及相关多元化合物材料(Al,Ga,In)N在短波长蓝光、紫光光发射器件及接收器件,微波和大功率半导体器件方面有诱人的应用前景和巨大的市场潜力,是近年来光电子材料领域研究的热门课题。目前GaN及GaN基器件的研究已经取得了巨大的进展,但是GaN的生长和器件制备方面还存在一些困难,GaN的p型掺杂和p型GaN的欧姆接触是其中困扰研制高性能器件的两个难题。本文首次对具有LED结构的GaN样品的表面p型层进行激光诱导再掺杂,在此基础上对其 ...
    • GaN基LED电极设计及其出光特性研究 

      卓晓龙 (2014-12-04)
      本文首先对Ⅲ-Ⅴ族材料性质和发光二极管(LED)存在的问题进行了概述,在诸多影响因素中着重对光提取效率进行介绍,详述了当前提高效率的常用方法,然后引出当今电极制作方面存在的问题(特别是对于大功率LED器件),并对其加以分析。 本文通过使用金属有机物气相外延(MOPVE)方法生长制备了深紫外LED外延片和蓝光LED外延片,然后对外延片进行金相显微镜、EL、PL、AFM等的测试和表征。表征结果表明所制备的外延片的生长质量和发光效果均比较理想 ...
    • GaN基LED的蒙特卡罗光子追踪法设计与模拟 

      洪图 (2009-11-24)
      GaN基LED具有节能、寿命长、体积小等优点,被视为下一代照明器件,受到人们广泛的关注。由于LED芯片折射率与空气折射率的巨大差别,使得光提取效率成为影响LED性能提高的最关键因素之一。因此,如何提高LED光提取效率成为近年来的研究热点。本文详细介绍了蒙特卡罗光子追踪法,并对程序流程进行深入的描述,通过计算机编程,模拟了不同结构与参数下正装与垂直结构LED出光,分析和探讨了其中物理机制。 虽然正装LED芯片性能并不突出,但由于其制作简单 ...