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    • DC-LED结温检测技术与AC-LED瞬态结温特性研究 

      吴弼卿 (2013-12-16)
      近年来,半导体照明技术飞速发展。一方面,传统DC-LED的功率不断增大,发光效能也不断提高;另一方面,新型AC-LED技术迅速发展,并以其多方面的优势成为当前LED发展的一个亮点。但在技术飞速发展的同时,LED在许多方面也面临着瓶颈,尤其是LED的热学管理问题。对于DC-LED而言,随着功率不断增大,其结温不断上升,严重制约LED的性能。如何精确测量结温就成为LED热学管理中至关重要的问题。对于AC-LED而言,由于其芯片结构和驱动方式 ...
    • DLC膜的多气源制备及应用 

      魏晓丽 (2016-12-23)
      类金刚石膜(Diamond-LikeCarbon,DLC)是一种介于金刚石和石墨之间的非晶结构材料。类金刚石膜具有和金刚石类似的许多独特的优良性能,因此被广泛应用在机械、光学、电学以及生物等领域。 等离子体化学气相沉积(PECVD)法是生长含氢DLC膜的常见方法,通常把衬底放在PECVD腔体中的源电极上生长DLC薄膜,这样生长的DLC膜具有更高的硬度。本文采用浸入式PECVD方法生长DLC薄膜,把衬底浸入到等离子体中,使其面临的电场强度 ...
    • E1和以太网协议转换器的FPGA设计与实现 

      符世龙 (2013-12-16)
      随着“三网融合”在我国的逐步演进,实现三网中最重要的两网—电信网和互联网之间的互联互通和网络资源共享,不仅具有现实的行业需求,更具有重要的社会价值和经济效应。电信传输网的E1链路和计算机互联网基础的以太网链路之间相互联通和灵活转换的实现是充分发挥两网各自优势和特点的重要前提。而E1和以太网链路协议转换器充当连接两网的节点,能够高效准确地解决这两不同链路间的数据通信问题。 FPGA具有大量的逻辑门和存储块资源,这能保证设计者可根据系统需求 ...
    • Eclipse Draw2d的PostScript和PDF矢量图输出 

      李健斌 (2012-11-15)
      核磁共振(NuclearMagneticResonance,NMR)自从20世纪40年代首次观测以来不断发展,并己经成功应用到物理、生物、化学和医学等诸多领域中。与此同时,核磁共振仪器技术也得到了不断地发展。本文所属的课题组旨在建立我国核磁共振波谱仪研制平台,研发具有自主创新的波谱仪核心部件和关键技术,开发与波谱仪相配套的软件,为国家核磁共振技术领域提供技术的支持,并在经济效益上打破我国的核磁共振波谱仪至今仍完全依赖进口的局面。 ...
    • EMC效应对大PT实光子产生过程的影响 

      柯耀煌 (1989-06-10)
      本文从部分子系统模型出发,确定显示EMC效应的夸克动量分布函数及胶子动量分布函数。由此计算大横动量(PT)的P+N→γ+X过程的截面对A(核子数)的依赖关系。计算对入射粒子中动量分数相等的部分子贡献和各种动量分数的部分子累积供需两种情况分别进行讨论,它们给出一致的结果。EMC效应对这种过程的影响不大。在5≤PT≤10Gev√s=50Gev,对A=56(Fe),截面的变化为+3~-3%。
    • EPR谱仪微机自动控制、数据采集和处理分析系统 

      陈忠 (1988-06-26)
      本文详细叙述了一个EPR谱仪的自动控制,数据采集处理和波谱分析一体化多功能且价格低廉的数据系统,其硬件是基于一套48KRAM的App1eIIPlus微机系统。一块商品化的12位A/D和D/A卡及其它一些接口线路,在上述硬件基础上,我们采用了程序覆盖技术编制了一套具有菜单式、结构化的系统控制分析软件。其中主要程序和分析处理程序采用Applesoft编写,而仪器的控制、数据的采集和快速处理则采用6502汇编语言编程,该系统每次扫场的采样点数 ...
    • ER-200D-SRC型EPR谱仪微机系统的研制 

      郑绍宽 (1993-06-17)
      本文详细叙述了用于西德Bruker分析仪百公司ER-200D-SRC型EPR谱仪的自动控制、数据采集累加、数据处理分析的软硬件系统。该系统硬件由两大块组成,一块为北京祥云数据设备公司的A/D、D/A接口卡,另一块为我们自己设计的数字量控制接口卡,可分别独立地插入PC机的扩展槽中。该系梵软件采用TurboC2.0编写,具有菜单式、结构化、模块化、汉字实时工作提示、数据实时屏幕显示、实验参数实时显示等特在,用户界面良好,它可实现对ER-20 ...
    • ESR波谱仪微波固体源的研制和顺磁纵向弛豫时间的测量 

      林健 (1984-12-08)
      本文讨论了频带反射式稳频固体源电路参数对频率稳定度的影响,我们自制了一个温度补偿的频带反射式耿氏振荡器,振荡频率为9330兆赫,输出功率达300毫瓦。开机一小时后,频率稳定度优于7x10-6/小时。 本文还提出了从两条已知功率比的ESR谱线求饱和因子和参比方法测量纵向驰豫时间T1的新方法。此法具有测试和计算较为简便的特点。我们测量了闪锌矿中Mn2+、C+、聚噻吩、四氯对苯半醌的T1.
    • EtherCAT工业以太网技术研究及其在纯软件开放式CNC中的应用 

      陈华 (2011-11-04)
      随着现场总线和工业实时以太网技术的发展,伺服运动控制系统已经从集中式模拟量控制发展为全数字网络化控制,其高可靠性、高效率性和开放性已成为伺服运动控制的发展趋势。 EtherCAT使用标准以太网技术,是一种开放的实时全双工以太网络通信协议,具有高速和高数据有效率、拓扑灵活、安全可靠、兼容性强等特点。EtherCAT主站使用标准的以太网控制器,从站使用专用控制芯片ESC,采用技术可行且经济实用的方法,使以太网技术延伸至I/O级,是一种实时性 ...
    • F-P微腔对NaYF4:Er3+,Yb3+纳米颗粒上转换发光的调制 

      郝烨 (2017-12-27)
      由于镧系元素具有激发态能级寿命长、能级呈阶梯分布等特点,镧系掺杂上转换发光材料获得了大量研究者的关注。但由于上转换发光是一个非线性发光过程,其上转换发光效率通常很低,目前人们所采用的增强上转换发光的方法,效果也还比较有限。在此,我们拟通过微腔结构内的光学谐振模式来调控镧系离子上转换发光过程,以此增强发光,并获得单色上转换发光及其增强。本文研究内容主要从以下两方面开展:一是通过法布里-珀罗(Fabry-Perot,缩写F-P)谐振腔结构, ...
    • F-P腔液晶热-光双稳态及腔内温度梯度分析 

      陶玉玲 (1991-06-30)
      本文首先全面回顾了本征型Fabry-Perot腔的光学双稳态 理论,并给出了透射型和反射型光学双稳态的临界功率表达式,首 次分析了在液晶热致折变中同时考虑纵横向热传导对双稳态的 影响,并在此基础上,设计了一个较理想的F-P腔,试验不仅得 到低临界场(十几微瓦)室温光学双稳态,观察到了某些非常有 趣的现象。
    • Fe1-xCox/MgO(001)结构垂直磁各向异性的第一性原理研究 

      蔡官志 (2016-03-23)
      近年来,垂直磁隧道结由于在磁记录、磁随机存储器、微波探测器以及磁敏传感器等方面的广阔应用前景引起人们广泛的关注。其中由单质Fe或者FeCo基合金与单晶MgO(001)结合形成的垂直磁隧道结具有高隧穿磁电阻、高热稳定性、低临界翻转电流的优点,是人们研究的重点。虽然大量的研究取得了丰硕的成果,但是横亘在FeCo/MgO隧道结应用之前的一个重要问题是铁磁层的垂直各向异性难以在较高厚度下保持,提高了材料制备工艺的难度。为此,本文拟研究Fe/Mg ...
    • GaAs1-xPx:N,GaP:N,Zn 束缚激子发光的研究 

      余琦 (2008-04-09)
      第一部分在文在Okbar~32Kbar的压力范围,对GaAs0.15P0.85:N样品的静压光致发光谱进行了研究(77K)。实验结果表明:①孤立N能级Nx在压力下具有深中心浅化的效果;②压力有助于增加孤立N束缚激子的隧穿长度。当P=13.2Kbar时,在2.077ev的能量位置上出现NN1中心发光。随压力增加NN1中心的发光相对孤立N中心的发光迅速增强。压力使孤立N能级浅化,使混晶无序对杂质态的影响减小,是NN1中心发光强度相对于孤立N ...
    • GaAs1-xPx:N中N杂质态发光性质研究 

      肖梅杰 (1995-05-06)
    • GaAs1-xPx混晶中Te施主深中心的研究 

      张文清 (1989-06-10)
      本文主要报告采用DLTS,TSCAP方法对不同组分(·11,·23,·31,·38,·39,·65,·75,·95)的GaAsl-xPx:Te材料进行研究的结果。DLTS,TSCAP实验表明,除X=·11样品外,其余各组分样品都存在施主深中心,它们在DLTS谱表现为A,B1,B2三个多子峰,其中只有A峰出现在组分为·23-·95间的所有样品中,认为它是Te在GaAsP中替代As(p)形成施主相关的Dx中心。B1,B2峰示表现除明显的规律 ...
    • GaAsN混晶的光学性质研究 

      林顺勇 (2004-06-08)
      III-V族化合物半导体是制造固体发光器件的重要材料。GaAsN作为一种新型的掺氮III-V发光材料,由于在远红外到紫外波长范围的光电子器件有广泛的应用前景而倍受人们的关注。GaAsN有着特殊的光电性质,它的带隙宽度不是GaAs和GaN的线性内插关系,而是存在着巨大的带隙弯曲,因此又被称为“反常”混晶。 本文第一章主要回顾了近几十年来对GaAs:N等电子杂质体系的研究历史,介绍了GaAs:N的发光特性以及等电子束缚激子形成的机制等问题。 ...
    • GAL器件在宽度控制系统步进电机控制组件中的应用 

      杨夏 (1998-07-01)
      本文介绍了GAL器件在宽度控制系统步进电机控制组件中的应用。该宽度控制系统主要应用在塑料薄膜生产线上。针对其原先设计中的不足,我们对其宽度测量单元进行了改进,实现了用步进电机作为宽控系统的测量执行部件以代替由圆形径向透射光栅组成的测量单元,提高了系统的工作性能。全文共分六部分。 第一部分是宽度控制系统简介。介绍了吹塑薄膜生产线、塑料薄膜宽度控制系统的工作原理及其性能指标。在宽度控制系统中,8031单片机是控制核心部件,步进电机用作宽度跟 ...
    • GaN LED 器件外延膜的激光剥离的研究 

      黄瑾 (2009-11-24)
      GaN及其化合物是直接带隙半导体材料,它的禁带宽度从1.9eV~6.2eV连续可调,发光范围覆盖了从红色到紫外的光谱,GaN材料是一种理想的短波长发光材料。它主要用于制作蓝、紫、紫外发光二极管(LED),激光器(LD)、紫外(UV)光电探测器等光电子器件。GaN和Si之间的晶片键合和激光剥离工艺可以很方便的实现不同材料的集成,为GaN基材料的外延生长、器件的工艺制作提供一个新的研究方向。 本文利用键合和激光剥离技术,实现了Φ2英寸GaN ...
    • GaN 基发光二极管芯片及封装体的可靠性研究 

      时军朋 (2016-03-23)
      GaN基发光二极管相对于传统照明方式有体积小、效率高、寿命长、节能、环保、可靠性高等优点,被认为是第四代光源。目前LED在一般照明、路灯、商业照明、背光等方面得到了广泛的应用。在LED发展过程中,一直关注的两个重要方面是亮度的提升和可靠性的改善。本论文就LED芯片的可靠性和封装体的可靠性两部分进行了研究。 一、关于LED芯片的可靠性,针对实际设计、生产中存在的几个问题进行了研究。目前主要的芯片类型有三种:正装芯片、垂直芯片和倒装芯片。本 ...