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    • AAO膜的光反射非对称效应及AAO模板法制备Si、Ge纳米结构 

      李阳娟 (2011-11-02)
      随着硅微电子产业的迅速发展,器件工艺水平不断提高,器件的尺度减小到纳米量级。然而,体Si是间接带隙材料,发光效率不高,制约了光电子集成的发展。制备高密度、小尺寸和大小均匀的Si基纳米结构对实现高性能的光电子器件具有重要的科学意义和应用价值。多孔阳极氧化铝膜(AAO)具有高度有序、孔径和孔间距可控、热稳定性好、绝缘、制备工艺简单等优点而成为制备均匀纳米结构的首选模板。 AAO是一种宽带隙材料,具有良好的光学特性,在近紫外至近红外波段具有很 ...
    • AC-AC高频连接型变换器 

      张少煌 (2016-03-17)
      电力电子变换技术在过去六十年里已经取得较大发展,人们在AC/DC、DC/DC、DC/AC等领域内的中、小功率变换器研究已经取得了显著成就。然而,对AC/AC变换器研究仅局限于可控硅变换器、矩阵变换器和交流斩波器等交流电网与负载无电气隔离领域。目前国内外对于AC/AC变换技术的研究仍处于初级阶段,寻找一种结构简洁、控制模式方便的主拓扑具有很重要应用意义。 本文通过了解各种典型和新兴的交流变换器主拓扑结构及其性能特点,对高频连接型全桥桥式变 ...
    • AC-LED光闪烁探究和优化 

      纪旭明 (2016-12-23)
      生活水平的提高促使人们提高了对照明的要求。照明效果是物理、生物、心理效应的综合体现,物理效应是照明设备发出光的客观参数,生物效应是观测者感受到的光参数,而心理效应则是人在照明条件下易产生的心理状态。因此照明对人身心造成的影响是个值得关注的问题。 本文主要研究对象是LED照明产品中的AC-LED。AC-LED具有低廉的生产成本、可直接接入市电和便于光学设计等特点。AC-LED可直接接入市电工作,但是存在光闪烁(俗称频闪)现象,频闪会对人身心产生很大的伤害。 ...
    • Ag/Si低维结构的扫描隧道显微镜研究 

      胡蔚 (2014-12-08)
      由于在基础研究和器件应用中的重要地位,Ag/Si体系一直受到人们的关注。对其结构和特性的研究,有助于更好地理解金属/半导体系统的界面性质、结构组成和形成机理等物理问题,建立其原子结构与电子性质之间的联系。通过有效地控制其生长过程和外延结构,可望开发具有更加优越特性的新型的结构体系,开拓其在微纳器件中的应用。为此,本论文在超高真空环境下,采用分子束外延生长方法,在Si(111)表面上制备Ag等材料的低维结构,利用扫描隧道显微镜等表征技术, ...
    • AlGaAs:Sn混晶中DX中心能级的精细结构 

      肖细凤 (2001-05-01)
      杂质和缺陷一直是半导体材料的重要研究课题。n型混晶材料的DX中心由于其特异的性质如持久光电导(PPC)效应等,更引起了人们的兴趣。至目前为止,虽然对DX中心的物理起源、精细结构等进行了许多讨论,但有许多问题仍有待解决。因此,随着AlxGa1-xAs,GaAs1-xPx等III-V族混晶材料在各种新兴光电器件中越来越广泛的应用,对III-V族混晶中DX中心的深入研究具有更重要的应用价值和学术意义。 本文将报告采用定电容电压瞬态法,测量了不 ...
    • AlGaN 隧穿结的设计和特性优化 

      李德鹏 (2017-12-27)
      摘要 AlGaN半导体材料作为第三代宽禁带半导体的代表,具有直接带隙宽、原子键强、热导率高、化学稳定性好(几乎不被任何酸腐蚀)以及抗辐照能力强等物理性质,在光电子、高温大功率器件和高频微波器件应用方面有着广阔的前景。仰赖于直接带隙宽,通过调节合金组分,带隙可在3.4至6.2eV的光谱响应范围内调节,有利于能带剪裁,成为工作在紫外到深紫外范围的发光二极管、激光二极管以及探测器等器件的理想材料,受到业界的广泛关注。特别是作为紫外固态光源,相 ...
    • AlGaN基深紫外LED的能带调控和极化诱导掺杂研究 

      刘松青 (2016-12-20)
      Ⅲ族氮化物作为新一代半导体材料,具有宽直接带隙、高电子漂移率、高热导率、耐高温、抗腐蚀、抗辐射等优点,适合制作高频、高功率、耐高温和抗辐射的电子器件,比如AlGaN基紫外发光二极管。但是紫外发光二极管依然存在低量子效率、低光输出功率等问题,提高晶体质量和载流子注入效率是解决问题的两个主要思路。影响载流子注入效率的一个重要因素是内部极化场引起的能带弯曲,本文基于APSYS软件,主要围绕紫外LED的能带调控和极化诱导掺杂展开研究。 ...
    • AlGaN掺杂量子阱设计和外延生长 

      倪建超 (2012-11-15)
      宽禁带III-V族氮化物半导体由于其材料具有禁带宽度大、电子迁移率高、介电常数小、电子有效质量较小等特性,在光电子领域有着重要的应用前景。在过去多年中,氮化物半导体材料的结构研究主要是超晶格量子阱结构,其性能在不断完善的工艺技术支持下有很大的发展空间。量子阱作为许多光电器件的核心功能部件,其最重要的应用是作为光电器件的有源层,束缚载流子并进行量子能级的跃迁和复合,量子阱的结构设计和生长影响着光电器件的各种性能。然而,氮化物量子阱异质界面 ...
    • AlGaN紫外量子能量转换材料及其光电子器件 

      高娜 (2016-03-22)
      随着信息化社会的迅速发展,人们对信息存储容量和传递速率的要求日益提高。光子作为信息传递的载体,通过与电子间的能量转换,能够很好地实现信息的传输和交换;而具有全新物理原理的量子器件,更能满足光电器件高度集成的发展需求。鉴于当前人们的社会需求正向环境保护、医疗卫生、军事监测、光电对抗等诸多领域扩散,亟待开发以量子能量转换为基础的半导体短波长、紫外及深紫外光电子器件。AlGaN材料作为III族氮化物体系的成员之一,具有直接带隙可调范围广、结构 ...
    • AlGaN结构材料光学各向异性及非线性光学性质调控 

      姜伟 (2013-12-16)
      AlGaN基半导体是目前短波长光电器件中最重要的材料,以其为基础研发的深紫外LED和LD在照明、杀菌、环保以及军事上都有着重要的应用价值和广泛的市场前景。由于纤锌矿结构的AlGaN为非中心对称晶体,具有极强的极化,也造成了材料光学各向异性,制约着高质量材料和器件的制备与应用。准确表征AlGaN材料光学各向异性并实现光学各向同性的调控成为突破现有结构材料和器件局限的关键手段。另一方面,由极化效应所引起内建电场,也是导致AlGaN材料存在非 ...
    • AlInGaN/GaN PIN 紫外光电探测器的研究 

      洪灵愿 (2005-08-16)
      摘要紫外光电探测器在航空、军事、民用等领域里具有非常重要的应用,本论文结合科研项目,进行了PIN结构紫外光电探测器的理论研究和实验制备。所做的研究工作如下:1、目前,GaN基紫外光电探测器一般采用AlGaN/GaN材料来制备,但是AlGaN与GaN之间晶格失配导致外延层位错密度较高,所以,我们提出用晶格常数和禁带宽度可以独立变化的AlInGaN四元合金代替AlGaN作为探测器的有源层。2、用MOCVD系统生长了与GaN晶格基本匹配的Al ...
    • AlInGaN薄膜及GaN基DBR的生长和特性研究 

      尚景智 (2009-11-24)
      III族氮化物(GaN,AlN及InN)半导体材料具有优异的光学和电学特性,已引起人们广泛的关注和研究。特别是在任意组分下都具有直接带隙的AlInGaN四元材料在高效率短波长发光器件和电子器件领域有着广泛的应用前景,目前正逐渐成为继三元氮化物材料之后国际上新的研究热点。另一方面,GaN基垂直腔面发射激光器(VCSEL)一直是III族氮化物器件研究的前沿课题,而高反射率氮化物分布布拉格反射镜(DBR)作为GaN基VCSEL的重要组成部分, ...
    • AllnN材料的生长及其紫外LED的研制 

      毛明华 (2008-12-26)
      AllnN材料的生长及其紫外LED的研制 摘要 GaN基材料的禁带宽度从0.7eV-6.2eV连续变化,其对应的辐射波长覆盖了紫外与可见光区域,因此其材料在航空、军事、民用等领域具有非常广泛的应用前景,其中采用GaN材料制作的器件已经在发光器件、激光器、光探测器以及高频和大功率电子器件中获得了广泛应用,但对于GaN基中三元合金材料AllnN,目前国外与国内研究比较少。本文在此基础上利用LP-MOCVD系统,在蓝宝石衬底上生长AllnN三 ...
    • AlxGa1-xAs混晶中Sn施主深中心的研究 

      康俊勇 (2008-04-08)
      随着ALxGa1-xAs,GaAs1-xPx等Ⅲ-v族混晶越来越广泛的应用,对n型混晶材料中施主深中心(DX中心)的研究近几年来更为活跃。已有的研究对施主深中心的性质有不少认识;对施主深中心的结构也有很多讨论,但仍然有很多问题有待解决。因此对混晶中施主深中心的深入研究,不但具有实际的应用价值,还具有重要的学术意义。本文将报告采用TSCAP、DLTS、CC-DLTS恒温暗电容瞬态和恒温定电容电压瞬态等方法,对不同组分的液相外延ALxGa1 ...
    • AlxGal-xAs混晶中的Sn及Te施主深能级 

      林虹 (1990-06-09)
      DX中心是掺施主杂质的AlGaAs、GaAsP及其它混晶中普遍存在的一种施主深中心,它决定混晶的电学及光学性质,具有低温持久光电导(PPC)、浓度高等异常性质。由于混晶半导体在发光、激光及微电子器件方面的重要应用,对DX中心的研究近来更为活跃。本文报告了用DLTS(深能级瞬态谱)、光照DLTS法对不同组分的(X=0.26,0.40,0.53)液相外延AlGaAs:Sn材料进行研究的结果。实验表明,三种组分样品的DLTS谱都出现了两个多子 ...
    • Al纳米颗粒的局域表面等离激元效应及其在深紫外LED上的应用 

      陈雪 (2013-12-16)
      发光波长在200nm至350nm的深紫外发光二极管在生物医疗、防伪鉴定、水和空气净化、计算机数据存储和军事等领域有着广阔的应用前景,成为半导体领域研究和投资的新热点。并且随着技术的发展,新的应用将不断出现并替代原有的技术和产品。然而由于较低的内量子效率和极低的光抽取效率,深紫外LED的发光效率一直不高。近年来,人们致力于提高深紫外LED发光效率的研究。通过理论计算和实验研究,找到了多种提高方法,而将金属表面等离激元效应用于提高深紫外LE ...
    • Al-金属间化合物材料的性质: 第一原理理论 

      陈丽娟 (2003-06-18)
      本论文研究铝-金属间化合物材料的结构以及电子性质,论文分成两个部分,第一部分是关于LiAl中空位形成能的第一原理计算,第二部分讨论ZrAl合金的几何和电子结构。 在LiAl中空位形成能的第一原理计算中,我们采用基于局域密度泛函理论框架下的正则守恒赝势法和平面波展开晶体波函数,并使用Ceperley-Alder等给出的交换关联势公式。在计算锂铝合金中的空位形成能时,将周期点缺陷引入晶体,并采用超原胞方法算出点缺陷的形成能。做法是在立方结构 ...
    • Analysis of Thermal Energy Conversion Systems Using the Concept of Finite Time Thermodynamics and Thermoeconomics 

      S.K.Tyagi (2007-10-29)
      The present Post Doctoral Report deals with the application of Finite timeThermodynamics and Thermoeconomics of thermal energy conversion cycleespecially Brayton cycle. This aspect is desirable to understand the deviationof ...
    • Au/4H-SiC半透明肖特基UV光电二极管的研制 

      王良均 (2006-06-06)
      碳化硅(SiC)由于其较宽的带隙,较大的击穿电场,较高的电子饱和漂移速率和较大热传导率,在制作高温、高频、大功率和抗辐射器件方面具有巨大优势,被认为是最有前景的宽带隙半导体材料之一。基于4H-SiC材料制备的紫外光电探测器,因其禁带宽度大(3.26eV),对可见及红外线辐射无响应,因而可以在很强的可见及红外线背景下检测紫外光。近年,有一些关于金属/4H-SiC的报道,但对Au/4H-SiC肖特基光电二极管的报道并不多,而对于半透明肖特基 ...
    • Au纳米颗粒局域表面等离激元调控与应用 

      张会均 (2013-12-16)
      随着纳米技术和微加工技术的迅速发展,表面等离子体技术在光电子器件的微型化和集成化上得到了普遍应用,受到了物理、化学、生物、以及医学等多个领域人士的极大关注。局域表面等离子体(LSPs)由于具有独特的传播、激发、以及表面电磁场的局域增强特性,使其在与发光二极管有源层共振耦合提高光提取效率方面有着显著的优势,且LEDs发光波长与LSPs共振波长匹配度越高,光提取效率增强就越强。对于一定发光波长的LEDs,耦合匹配度高低就与表面等离子体的共振 ...