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dc.contributor.author刘柱方zh_CN
dc.contributor.author蒋利民zh_CN
dc.contributor.author汤儆zh_CN
dc.contributor.author张力zh_CN
dc.contributor.author田昭武zh_CN
dc.contributor.author刘品宽zh_CN
dc.contributor.author曲东升zh_CN
dc.contributor.author孙立宁zh_CN
dc.contributor.author叶雄英zh_CN
dc.contributor.author周兆英zh_CN
dc.contributor.author田中群zh_CN
dc.date.accessioned2013-06-17T01:19:02Z
dc.date.available2013-06-17T01:19:02Z
dc.date.issued2003-08-25zh_CN
dc.identifier.citation微纳电子技术, 2003, (Z1): 265-266zh_CN
dc.identifier.urihttps://dspace.xmu.edu.cn/handle/2288/21350
dc.description.abstract主要介绍了一种Cu的CELT加工的化学刻蚀体系和捕捉体系 ,并通过控制刻蚀时间、刻蚀电流、刻蚀剂浓度、捕捉剂浓度等实验参数和优化电化学模板的制作工艺 ,以规整的齿状结构为模板 ,在Cu的表面实现了三维微结构的复制加工 ,得到了与齿状结构模板互补的三维微结构 ,用SEM和AFM对实验结果进行了表征 ,表征结果证明约束刻蚀剂层技术在金属三维加工方面的可行性和潜在优势。金属Cu由于具有优良的导热导电性能以及很好的延展性 ,在微系统 (也称微机电系统 )中应用广泛 ,因此对Cu的刻蚀加工对微系统技术的发展具有重要的意义。约束刻蚀剂层技术 (ConfinedEtch antLayerTechnique简称CELT)作为一种新型的微加工技术[1] ,能够加工复制出复杂三维结构 ,到目前为止 ,该技术已成功应用于Si、GaAs等材料微结构的复制加工[2 ,3] 。zh_CN
dc.language.isozhzh_CN
dc.source.urihttp://epub.cnki.net/grid2008/brief/detailj.aspx?filename=BDTQ2003Z1078&dbname=CJFQ2003zh_CN
dc.subjectCuzh_CN
dc.subject微图形zh_CN
dc.subject加工zh_CN
dc.title金属Cu表面三维齿状微图形的复制加工——约束刻蚀剂层技术 (CELT)的应用zh_CN
dc.typeArticlezh_CN


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