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dc.contributor.author高鹏
dc.contributor.author冯彦斌
dc.contributor.author李维环
dc.contributor.author吴超瑜
dc.contributor.author高文浩
dc.contributor.author付贤松
dc.contributor.author宁振动
dc.date.accessioned2020-10-10T02:37:29Z
dc.date.available2020-10-10T02:37:29Z
dc.date.issued2019-06-25
dc.identifier.citation固体电子学研究与进展,2019,39(03):203-206
dc.identifier.issn1000-3819
dc.identifier.other10.19623/j.cnki.rpsse.2019.03.011
dc.identifier.urihttps://dspace.xmu.edu.cn/handle/2288/175086
dc.description.abstractAlGaInP是GaAs基LED有源区主要材料,广泛应用于黄绿光至红光波段的LED。但在短波段尤其是黄绿光波段(565~575 nm),因其材料组成较接近间接带隙,其发光效率和稳定性存在问题。目前黄绿光功率衰减以俄歇复合损耗、非复合辐射中心损耗、载流子损耗为主。所以研究相同生长温度不同阱垒厚度、量子阱相同厚度不同生长温度、P型掺杂层掺杂浓度对发光光衰的影响。发现较薄的MQW阱垒厚度、较高的MQW生长温度及P-space后端P型层前端插入一层20 nm厚度,1.7×1018 cm-3浓度的高掺杂层三种方案可以改善黄绿光发光二极管光衰性能。
dc.description.sponsorship天津市科技支撑、新材料重大专项项目(17YFZCGX00330,18ZXCLGX00080)
dc.language.isozh_CN
dc.subjectAlGaInP发光二级管
dc.subject黄绿光
dc.subject光衰
dc.subject多量子阱
dc.title黄绿光发光二极管光衰性能研究
dc.typeArticle


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