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基于一维TiO2纳米管阵列薄膜的β伏特效应研究

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Full Text
基于一维TiO2纳米管阵列薄膜的_伏特效应研究.pdf (872.5Kb)
Date
2018-01-30
Author
王娜
马洋
陈长松
陈江
伞海生
陈继革
成正东
Collections
  • 萨本栋-已发表论文 [62]
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Abstract
介绍了一种采用宽禁带半导体二氧化钛纳米管阵列薄膜材料制备β伏特效应同位素电池的方法.通过对金属钛片的电化学阳极氧化制备了垂直定向、有序排列的二氧化钛纳米管阵列薄膜,研究了退火条件对二氧化钛纳米管阵列薄膜半导体光电性能的影响.通过与镍-63辐射源的集成封装,形成三明治结构镍-63/二氧化钛纳米管阵列薄膜/钛片的β伏特同位素电池.实验结果表明,基于氩气氛围下450?C退火的黑色二氧化钛纳米管阵列薄膜具有高的氧空位缺陷浓度和宽的可见-紫外吸收光谱.在使用β辐射总能量为10 m Ci的镍-63辐射源时,同位素电池的开路电压为1.02 V,短路电流75.52 n A,最大有效转换效率为22.48%.
Citation
物理学报,2018,67(04):253-259
URI
https://dspace.xmu.edu.cn/handle/2288/173380

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