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dc.contributor.author林煌丁
dc.contributor.author刘相志
dc.contributor.author方浩
dc.contributor.author周全
dc.contributor.author张恩亮
dc.contributor.author严鑫
dc.contributor.author冷重钱
dc.contributor.author张风燕
dc.date.accessioned2019-11-13T02:44:24Z
dc.date.available2019-11-13T02:44:24Z
dc.date.issued2018-06-30
dc.identifier.citation功能材料,2018,49(06):6163-6167,6172
dc.identifier.issn1001-9731
dc.identifier.urihttps://dspace.xmu.edu.cn/handle/2288/173046
dc.description.abstract采用单靶磁控溅射法制备了铜锌锡硫(CZTS)薄膜,利用X射线衍射仪(XRD)、拉曼光谱(Raman)、紫外-可见-近红外分光光度计(UV-Vis-NIR)和扫描电镜(SEM)分别对CZTS薄膜的物相结构、光学性能以及表面形貌进行表征,结果表明,退火后的CZTS薄膜具有单一相的锌黄锡矿结构、适合的禁带宽度(1.51eV)以及平整致密的表面形貌。通过制备CZTS/n-Si异质结光电探测器,光电性能测试显示,器件在450,635和980nm波长的光源下均具有良好的光伏效应。在0V偏压,功率密度为3mW/cm~2的980nm光源照射条件下,器件的响应的上升时间(τr)和下降时间(τd)分别为τr=41ms,τd=126ms,电流开关比为434.9。CZTS/n-Si异质结结构有利于提高载流子的分离效率,比纯n-Si探测器与纯CZTS探测器具有更大的电流开关比,为低成本、高性能及环境友好光电探测器提供新方案。
dc.language.isozh_CN
dc.subject光电探测器
dc.subjectCZTS/n-Si异质结
dc.subject电流开关比
dc.subject响应时间
dc.subject低成本
dc.title单靶磁控溅射法制备Cu2ZnSnS4薄膜及其异质结光电探测器
dc.typeArticle


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