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MEMS中基底和薄膜的CMP制造技术

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Full Text
MEMS中基底和薄膜的CMP制造技术.pdf (1.038Mb)
Date
2018-06-15
Author
曾毅波
张杰
许马会
郝锐
沈杰男
周辉
郭航
Collections
  • 航空航天-已发表论文 [2411]
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Abstract
化学机械抛光(Chemical&Mechanical Polishing,CMP)工艺已运用于微机电系统(Micro-Electro-Mechanical System,MEMS)中,并逐渐成为研制高品质微纳器件不可或缺的一道关键技术。区域压力调整、抛光终点检测等技术已经引入到CMP工艺,确保片内不均匀性(Within-wafer Nonuniformity,WIWNU)小于5%,同时有效减小\"蝶形\"和\"腐蚀\"等抛光缺陷。CMP在MEMS领域中的运用工艺过程更为复杂,抛光对象更为多元,表面质量要求更高。结合硅、介质层、石英、锗、铂和聚合物等自行开发的CMP工艺以及抛光后清洗处理,详细讨论和阐述CMP工艺如何运用于MEMS领域。实验结果表明,采用CMP工艺,结合抛光液改进和兆声清洗,不仅可以实现薄膜的全局平坦化,而且可以获得高品质的超薄基底、无损的硬质应变薄膜和用于低温直接键合的表面粗糙度小于0.5nm键合表面。CMP技术是研制高品质的可应用于MEMS器件的基底和薄膜的有效手段。
Citation
光学精密工程,2018,26(06):1450-1461
URI
https://dspace.xmu.edu.cn/handle/2288/172194

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