• 中文
    • English
  • English 
    • 中文
    • English
  • Login
View Item 
  •   DSpace Home
  • 物理科学与技术学院
  • 物理技术-学位论文
  • View Item
  •   DSpace Home
  • 物理科学与技术学院
  • 物理技术-学位论文
  • View Item
JavaScript is disabled for your browser. Some features of this site may not work without it.

AlGaN 隧穿结的设计和特性优化
Design and optimization of AlGaN tunneling junction

Thumbnail
Full Text
AlGaN 隧穿结的设计和特性优化.pdf (508.4Kb)
Date
2017-12-27
Author
李德鹏
Collections
  • 物理技术-学位论文 [1822]
Show full item record
Abstract
摘要 AlGaN半导体材料作为第三代宽禁带半导体的代表,具有直接带隙宽、原子键强、热导率高、化学稳定性好(几乎不被任何酸腐蚀)以及抗辐照能力强等物理性质,在光电子、高温大功率器件和高频微波器件应用方面有着广阔的前景。仰赖于直接带隙宽,通过调节合金组分,带隙可在3.4至6.2eV的光谱响应范围内调节,有利于能带剪裁,成为工作在紫外到深紫外范围的发光二极管、激光二极管以及探测器等器件的理想材料,受到业界的广泛关注。特别是作为紫外固态光源,相比于同样工作于紫外波段的传统汞灯,AlGaN基紫外光源除了重量轻、体积小以及节能环保外,在工作效率、启动时间、使用寿命、波长单色性和稳定性方面都具有无可比拟的...
 
Abstract AlGaN semiconductors as the third generation wide band gap semiconductor, with superior properties including a wide direct band gap, strong atomic bond, high thermal conductivity, good chemical stability and strong resistance to radiation and so on, offer broad prospects in optoelectronics, high-temperature and high-power devices and high frequency microwave device applications. Rely on ...
 
URI
https://dspace.xmu.edu.cn/handle/2288/170325

copyright © 2002-2016  Duraspace  Theme by @mire  厦门大学图书馆  
About | Policies
 

 

Browse

All of DSpaceCommunities & CollectionsBy Issue DateAuthorsTitlesSubjectsThis CollectionBy Issue DateAuthorsTitlesSubjects

My Account

LoginRegister

copyright © 2002-2016  Duraspace  Theme by @mire  厦门大学图书馆  
About | Policies