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dc.contributor.author姚荣迁zh_CN
dc.contributor.author冯祖德zh_CN
dc.contributor.author林宏毅zh_CN
dc.contributor.author张冰洁zh_CN
dc.contributor.author余煜玺zh_CN
dc.date.accessioned2013-04-18T07:16:04Z
dc.date.available2013-04-18T07:16:04Z
dc.date.issued2009-09-15zh_CN
dc.identifier.citation材料工程, 2009, (S1): 241-244+249zh_CN
dc.identifier.urihttps://dspace.xmu.edu.cn/handle/2288/15877
dc.description.abstract采用熔融纺膜与先驱体转化法相结合制备出连续SiC自由薄膜,研究薄膜在1300,1400,1500℃温度下空气退火处理的氧化行为,以及退火温度对薄膜微观结构、光致发光特性(PL)、硬度和电阻率的影响。结果表明,SiC薄膜在1300℃具有较佳的抗氧化和发光特性,随着退火温度的升高,薄膜的抗氧化和发光特性略有降低,薄膜中无定型SiOxCy减少,-βSiC晶粒长大及游离碳增多,薄膜表面硬度与电阻率下降,表面惰性致密氧化层的生成保护阻挡氧扩散,从而有效减缓薄膜进一步被氧化。zh_CN
dc.language.isozhzh_CN
dc.source.urihttp://epub.cnki.net/grid2008/brief/detailj.aspx?filename=CLGC2009S1057&dbname=CJFQ2009zh_CN
dc.subject碳化硅自由薄膜zh_CN
dc.subject抗氧化zh_CN
dc.subject退火温度zh_CN
dc.subject光致发光zh_CN
dc.title空气环境下退火温度对连续SiC自由膜结构与发光特性的影响zh_CN
dc.typeArticlezh_CN


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