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dc.contributor.author李艳华zh_CN
dc.contributor.author潘淼zh_CN
dc.contributor.author庞爱锁zh_CN
dc.contributor.author武智平zh_CN
dc.contributor.author郑兰花zh_CN
dc.contributor.author陈朝zh_CN
dc.date.accessioned2013-04-18T07:15:55Z
dc.date.available2013-04-18T07:15:55Z
dc.date.issued2011-04-15zh_CN
dc.identifier.citation发光学报, 2011, (04): 378-382zh_CN
dc.identifier.urihttps://dspace.xmu.edu.cn/handle/2288/15774
dc.description.abstract论述了一种利用硅太阳能电池在一定偏压下的电致发光(Electrolum inescence,EL)成像来检测硅太阳能电池隐性缺陷的方法。硅太阳能电池的EL波长范围为850~1200 nm。正向偏压下的EL光强反映了少数载流子的浓度及其扩散长度,而反向偏压下的EL区和发光强度对应于电池的缺陷区域和缺陷密度。用硅CCD相机对硅太阳能电池的EL快速成像,然后根据EL成像的明暗强度可检测出电池的隐性缺陷。由于内在缺陷处EL强度比外在缺陷处受温度的影响更敏感,所以可利用电池缺陷处EL强度随温度变化的差异来辨别缺陷的类型。zh_CN
dc.language.isozhzh_CN
dc.source.urihttp://epub.cnki.net/grid2008/brief/detailj.aspx?filename=FGXB201104017&dbname=CJFQ2011zh_CN
dc.subject硅太阳能电池zh_CN
dc.subjectELzh_CN
dc.subject隐性缺陷zh_CN
dc.subject硅CCD相机zh_CN
dc.title电致发光成像技术在硅太阳能电池隐性缺陷检测中的应用zh_CN
dc.typeArticlezh_CN


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