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    • 氮氧化铝的原子层沉积制备及其阻变性能研究 

      刘宇; 余珏; 黄巍; 李俊; 汪建元; 徐剑芳; 李成; 陈松岩 (2017)
      以等离子体增强原子层沉积(PE-ALD)技术生长氮氧化铝(${\rm{Al}}{{\rm{N}}_{\rm{x}}}{{\rm{O}}_{\rm; {y}}}$)薄膜,磁控溅射Ag上电极制备结构为Ag/${\rm{Al}}{{\rm{N}}_{\rm{x}}}{{\rm{O}}_{\rm{y; }}}$/Pt的阻变存储器(RRAM).器件呈现双极性阻变特性,正向开启电压稳定且分布窄,变化幅度集中在0.5; V的范围内.高阻态和低阻态电阻 ...