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    • 有机半导体导电机理问题 

      黄美纯 (《厦门大学学报(自然科学版)》编辑部, 1961)
      【中文摘要】 本交前一部分综合评论了最近关于有机半导体导电机理的报告,并且阐述有机物质的结构与其半导性的关系,由许多作者提出的可能的导电机理有三种模型 :共轭π—电子,自由基和电荷转移模型.讨论集中在上述三种模型未能完满解释的问题即电子能量状态和载流子迁移率问题上.众所周知,大部分实验结果示明热激活能与光激活能存在着差异.为解释这个差异,提出载流子的"跳跃"运动并且加以讨论.根据这模型,载流子迁移率可由一简单方程表示:μ=(ed~2W_ ...
    • n型Ga_(1-x)Al_λAs中Te施主能级组分关系近似计算 

      黄美纯 (《发光学报》编辑部, 1980)
      【中文摘要】 本文报告了用二能谷近似法计算n型GaAlAs中Te施主能级随Al组分的变化。理论结果与实验数据符合得很好说明,Koster—Slater型相互作用常数势可用于近似地描述GaAlAs系统中的深施主杂质。本文还讨论了不同带边结构和参数对施主电离能组分关系的影响,认为对该电离能变化曲线线形的分析,可作为判定混晶系统带边结构类型的一种参考手段,线形的突变点代表不同对称性带边的交叉。对Te电离能的分析表明,GaAlAs的带边参数随组分变化非常接近线性。
    • 化合物半导体固溶体的能带结构 

      黄美纯 (《发光学报》编辑部, 1980)
      【中文摘要】 本文评述化合物半导体固溶体能带结构研究的若干新进展。着重讨论在发光物理及异质结器件应用上最受关注的等电子替代式赝二元合金及其带隙与合金组分的关系。在此基础上简要介绍等电子替代及化合物替代的四元合金系的带隙变化规律。讨论了关于带隙弯曲参数的三种主要理论模型,即介电模型、经验赝势模型及Hill模型。分析了这一领域研究中存在的问题和发展趋向。
    • n-Ga_(1-x)Al_xAs的能带结构和霍尔迁移率 

      黄美纯 (《厦门大学学报(自然科学版)》编辑部, 1981-02)
      【中文摘要】 本文提出一种分析三元半导体合金霍尔迁移率随组分变化的半经验方法。详细描述了Ga_(1-x)Al_xA_s电子迁移率变化与能带结构的关系,在导带Γ—L—X三能谷模型的基础上,引进能谷迁移率内插法,给出了霍尔迁移率随组分变化的理论公式,对Ga_(1-x)Al_xA_s进行具体计算发现同现有的实验结果符合得很好。理论曲线与实验数据的拟合采用L带电子迁移率作为可调参数,因此本方法允许从霍尔迁移率的实验研究中分析出至今了解甚少的L带 ...
    • n-Ga_(1-x)Al_xAs的能带结构和Hall迁移率 

      黄美纯 (《发光学报》编辑部, 1981-03)
      【中文摘要】 本文提出一种分析三元半导体合金霍尔迁移率随组分变化的半经验方法。详细描述了GaAlAs电子迁移率变化与能带结构的关系。在导带Γ-L-X三能谷模型的基础上,引进能谷迁移率内插法,给出了霍尔迁移率随组分变化的理论公式,对GaAlAs进行具体计算发现同现有的实验结果符合得很好。理论曲线与实验的拟合采用L带电子迁移率作为可调参数。研究表明,至今了解很少的L带迁移率在1200~600cm~2/v·s之间变化,同时确认,在0.15
    • n-GaAlAs载流子浓度的温度特性和多能谷修正 

      黄美纯; 黄景昭; 胡志萍 (《厦门大学学报(自然科学版)》编辑部, 1982-02)
      【中文摘要】 本文用导带三能谷模型具体讨论了n-GaAlAs中载流子浓度的温度特n_0(x,T)。分析表明:在较高温区(T>200K)载流子浓度的多谷修正是不可忽视的。用修正后的n_0(x,T)实验数据同非简并统计公式拟合,发现施主电离能有一弱的温度关系,它取决于有关带边的温度系数。观察到较低温区(T<200K)存在着与非简并理论不一致的大残留载流子浓度,这个现象可能同施主络合(DX)中心的低温性质有关。 【英文摘要】 The ...
    • B_1结构WC和MoC自洽能带计算与超导电性 

      沈耀文; 黄美纯 (《厦门大学学报(自然科学版)》编辑部, 1986-03)
      【中文摘要】 用Kohn—Sham局域密度泛函理论(LDF),原子球近似(ASA)和线性化丸盒轨道方法(LMTO)计算了具有以B_1结构的WC和MoC的自洽能带,总态密度(TDOS),分波态密度(PDOS)和不可约布里渊区的费米面。利用所得的参数(自洽晶体势,费米面处的总态密度与分波态密度),按McMillan强耦合超导理论及Gaspari—Gyorffy刚性离子近似,计算了WC和MoC的电子—离子相互作用常数η,电子质量增强因子λ和超 ...
    • 共价半导体中空原子球参数的确定 

      黄美纯; 王仁智; 朱梓忠 (《厦门大学学报(自然科学版)》编辑部, 1986-05)
      【中文摘要】 本文提出一种确定共价半导体中空原子球及实原子球参数的简单方法。这个方法表明,晶体中的空球参数完全由实原子的有效芯区半径和格常数决定。而有效芯区半径可以方便地由原子问题的Kohn-Sham方程自洽解得到。巳经利用本方法和LMTO-ASA程序计算了一系列Ⅲ-Ⅴ化合物半导体的自洽能带结构。其结果同其他从头计算方法的结果很符合,从而为LMTO-ASA方法在开结构共价材料电子性质的研究中,提供了推广应用的基础。 【英文摘要】 In ...
    • 稀土金属间化合物CeSn_3和CeIn_3的能带理论 

      叶令; 黄美纯; 朱梓忠 (《物理学报》编辑部, 1987)
      【中文摘要】 本文报道了CeSn_3和CeIn_3的能带计算结果。对其f电子的行为,以及f电子与非f原子的s,p,d电子之间的杂化进行了讨论。分析了费密能级附近的态密度分布及能带结构。 【英文摘要】 The electronic energy band structures of CeSn3 and Celn_3 are studied with LMTO-ASA method. The behavior of the f-electrons ...
    • C15化合物ZrZn_2和ZrV_2的磁性和超导性的自洽电子结构研究 

      黄美纯; H.J.F.Jansen; A.J.Freeman (《中国科学A辑》编辑部, 1987)
      【中文摘要】 本文介绍了新发展的体能带全电子完整势线性缀加平面波(FLAPW)方法,在计算立方Laves相C15化合物ZrZn_2和ZrV_2电子结构的首次应用.这两种材料的磁性和超导性,己用能带结构的结果进行了计算和讨论.计算分两种情况:(1)扭曲Muffin-tin(MT)势的自洽计算,(2)应用二次变分的完整势处理.上述计算都在达到自洽后将自旋轨道耦合效应包括进去.在MT球内的非球对称项对本征值的影响约为1mRy量级.但是,由于在 ...
    • Ⅲ-Ⅴ族化合物能带结构的Levine-Louie介电模型研究 

      黄美纯; 王仁智; 朱梓忠 (《厦门大学学报(自然科学版)》编辑部, 1987-01)
      【中文摘要】 用Levine-Louie介电模型交换关联势代替Hedin-Lundqvist公式,在局域密度泛函近似下,采用第一性原理和全电子方法计算了Ⅲ-Ⅴ化合物的LMTO-ASA自洽能带结构。通过对四个有代表性的材料的计算,分析了单粒子态本征值、态密度和带隙。发现介电模型交换关联势并不导致价带态发生明显的变化,它虽使布里渊区X点附近导带态和价带顶之间的能差稍有增大(~0.2eV)。但这个效应不足以解决各种从头计算能带中存在的带隙偏低问题。 ...
    • 一种计算半导体合金能带的LMTO-ASA-VCA方法 

      王仁智; 黄美纯 (《厦门大学学报(自然科学版)》编辑部, 1987-03)
      【中文摘要】 本文依据全电子LMTO-ASA能带计算方法的特点,提出LMTO-ASA-VCA合金能带结构计算的虚晶近似方案,用于Ga_(1-x)AlxAs的计算,所得各组分下的能带结构、态密度及弯曲参数等均显示虚晶近似的特征,合金的价电子能量总和及ASA球中包含的价电子电荷数随组分的变化都接近于线性,表明本计算方案是合理可行的. 【英文摘要】 Based on the distingush ed feature of the ...
    • Bl结构WC和MoC晶体静态性质的LMTO-ASA研究 

      陈传鸿; 黄美纯; 沈耀文; 林志芳 (《厦门大学学报(自然科学版)》编辑部, 1987-03)
      【中文摘要】 本文用LMTO-ASA方法和局域密度泛函理论,从第一原理计算了BI结构的WC和MoC晶体的总能-体积曲线.由此求得WC和MoC晶体的平衡晶格常数分别为0.420nm和0.416nm,体弹性模量分别为5(±10%)Mbar和4(±10%)Mbar,与已有实验很好符合.结果表明,在总能计算中计及对静库仑相互作用能的Ewald修正,对理论结果有明显的改善. 【英文摘要】 In this paper, the total ...
    • SELF-CONSISTENT ELECTRONIC STRUCTURES STUDIES OF MAGNETISM AND SUPERCONDUCTIVITY IN CI5 COMPOUNDS: ZrZn_2 AND ZrV_2 

      黄美纯; H.J.F.JANSEN; A.J.FREEMAN (《Science in China,Ser.A, 中国科学A辑(英文版)》编辑部, 1987-06)
      【中文摘要】 <正> The applications of the newly developed all-eleatron full potential linearized augmented plane wave (FLAPW) method for bulk in the electronic structure of the cubic Laves phase (C15) compound ZrZn_2 and ZrV_2 ...
    • FLUORESCENT DECAY AND ENERGY-TRANSFER IN GAP-(BI, N) CRYSTALS 

      LIU, X; JIANG, BX; LIN, XH; 林秀华 (J LUMIN, 1988-02)
    • PHOTOLUMINESCENCE SPECTRA AND RADIATIVE CENTERS IN ALXGAL-XP 

      JIANG, BX; LIN, XH; LIU, X; 林秀华 (J LUMIN, 1988-02)
    • ELECTRONIC-STRUCTURE OF ZNS, ZNSE AND ZNS1-XSEX USING LMTO METHOD 

      Zeng, X.; Huang, M. C.; 黄美纯 (1988-02)
      The electronic structures, total and partial density of states of II–VI semiconductors ZnS, ZnSe and their alloy ZnS1-xSex have been studied using a linear muffin-tin-obital (LMTO) method. The computations are performed ...
    • A MULTISTATE MODEL FOR DX CENTERS IN ALXGA1-XAS ALLOY 

      Kang, J. Y.; Huang, Q. S.; 康俊勇 (1988-02)