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低成本多晶硅片表面织构的研究
Texturing of Low-cost Polycrystalline Silicon Wafers

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低成本多晶硅片表面织构的研究.pdf (471.6Kb)
发布日期
2011-12
作者
潘淼
李艳华
陈朝
所在专题
  • 物理技术-已发表论文 [4223]
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摘要
【中文摘要】 采用化学腐蚀液织构了经磷吸杂处理后的多晶硅片。利用SEM分析了化学腐蚀后多晶硅表面形态,并通过反射谱测试分析了多晶硅片表面的陷光效果。实验结果表明:经酸腐蚀后的样品表面分布着均一的"蚯蚓状"的腐蚀坑,且反射率较低。在400~1 000nm波长范围内,反射率可达22.75%;生长了SiNx薄膜后,反射率减小至8.33%,比原始硅片的反射率低20.96%。 【英文摘要】 After phosphorus gettering pretreatment,the low-cost polycrystalline silicon(poly-Si) wafers are textured by chemical etching solution.The poly-Si surface and its light trapping were analyzed by scanning electron microscope(SEM) and reflection spectrum,respectively.Results show that the surface etched by the acid solution was distributed with uniform earthworm-like etched-pits,and it had a very low reflectance.The reflectivity of the sample can reach 22.75% within the wavelength of 400~1 100 nm.After the de...
出处
半导体光电,2011(6):825-827,873
本条目访问地址(URI)
https://dspace.xmu.edu.cn/handle/2288/12576

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