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dc.contributor.author钟金祥
dc.contributor.author吴正云
dc.contributor.author洪荣墩
dc.date.accessioned2016-05-17T02:45:40Z
dc.date.available2016-05-17T02:45:40Z
dc.date.issued2015-4-5
dc.identifier.citation中国新通信,2015,(7):108-109
dc.identifier.issn1673-4866
dc.identifier.otherTXWL201507084
dc.identifier.urihttps://dspace.xmu.edu.cn/handle/2288/105930
dc.description.abstract紫外波段的光探测器具有广阔的应用前景,本文结合传统的吸收-倍增-分离(SAM)和PIn结构,设计了一种新结构(APIn)的4H-SI C紫外光电探测器,模拟了其光电特性,并与传统的SAM和PIn结构的光电探测器进行了对比。结果表明其在雪崩状态下具有类似于SAM结构的雪崩光电探测器(APd)的特性,在低反向偏压下具有类似于PIn光电探测器的特性,为实际器件的制备提供参考。
dc.language.isozh_CN
dc.subject4H-SiC
dc.subject紫外光电探测器
dc.subjectSAM
dc.subjectPIN
dc.title结合雪崩和PIN特性的4H-SiC紫外光电探测器的模拟
dc.typeArticle


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