结合雪崩和PIN特性的4H-SiC紫外光电探测器的模拟

Abstract

紫外波段的光探测器具有广阔的应用前景,本文结合传统的吸收-倍增-分离(SAM)和PIn结构,设计了一种新结构(APIn)的4H-SI C紫外光电探测器,模拟了其光电特性,并与传统的SAM和PIn结构的光电探测器进行了对比。结果表明其在雪崩状态下具有类似于SAM结构的雪崩光电探测器(APd)的特性,在低反向偏压下具有类似于PIn光电探测器的特性,为实际器件的制备提供参考。