Now showing items 1-1 of 1

    • Er,O离子共注入GaAs的二次离子质谱的研究 

      陈辰嘉; 李海涛; 王学忠; 周必忠; 雷红兵; 肖方方 (1997)
      在Ⅲ-V族半导体gAAS外延层上共注入Er和O离子(gAAS:Er,O).经面对面优化退火后,光致发光(PHOTOluMInESCEnCE-Pl)谱中观测到对应Er3+第一激发态到基态4I13/2-4I15/2跃迁,其相对强度较单注入Er的gAAS(gAAS:Er)增强10倍,且谱线变窄.从二次离子质谱(SECOndAryIOnMASSPECTrOMETry-SIMS)和卢瑟福背散射实验给出退火前后Er在gAAS:Er样品中的剖面分布. ...