显示条目: 1-10 / 2329

    • 化学镀钴和超级化学镀填充的研究进展 

      沈钰; 李冰冰; 马艺; 王增林; Yu Shen; Bing-Bing Li; Yi Ma; Zeng-Lin Wang (《电化学》编辑部, 2022-07-28)
      随着半导体集成度的不断提高,铜互连线的电阻率迅速提高。当互连线宽度接近7 nm时,铜互连线的电阻率与钴接近。IBM和美国半导体公司(ASE)已经使用金属钴取代铜作为下一代互连线材料。然而,钴种子层的形成和超级电镀钴填充7 nm微孔的技术工艺仍是一个很大的挑战。化学镀是在绝缘体表面形成金属种子层的一种非常简单的方法, 通过超级化学镀填充方式, 直径为几纳米的盲孔可以无空洞和无缝隙的方式完全填充。本文综述了化学镀钴的研究进展,并分析了还原剂 ...
    • 亚硫酸盐无氰电沉积金新工艺及机制 

      杨家强; 金磊; 李威青; 王赵云; 杨防祖; 詹东平; 田中群; Jia-Qiang Yang; Lei Jin; Wei-Qing Li; Zhao-Yun Wang; Fang-Zu Yang; Dong-Ping Zhan; Zhong-Qun Tian (《电化学》编辑部, 2022-07-28)
      直接以氯金酸作为主盐、 羟基乙叉二膦酸(HEDP)作为镀液稳定剂和镀层细化剂、 结合添加剂, 组成亚硫酸盐无氰镀金新工艺; 研究镀液稳定性、 镀层形态及金电沉积机制。结果表明, HEDP可明显提升镀液稳定性;不含HEDP的亚硫酸盐镀金液中, 镀层呈棒状晶粒并随沉积时间延长而逐渐生长,导致镀层外观随镀层厚度增加由金黄色转变为红棕色。镀液含有HEDP时, 金晶粒形态由棒状转变为棱锥状, 且棱锥状晶粒随沉积时间延长生长速率较小, 镀层厚度为1 ...
    • 高均匀性的铜柱凸块电镀 

      谭柏照; 梁剑伦; 赖子亮; 罗继业; Bai-Zhao Tan; Jian-Lun Liang; Zi-Liang Lai; Ji-Ye Luo (《电化学》编辑部, 2022-07-28)
      随着电子产品的小型化、多功能化和高性能化的发展,促使着2D集成封装向2.5D或3D集成封装发展。铜柱凸块电镀是晶圆级三维封装的关键基础技术之一。本文研究了铜柱凸块的电镀均匀性与添加剂浓度、 镀液对流、 电流密度和电镀设备之间的影响规律。研究结果表明, 添加剂浓度、 镀液对流以及电流密度对单个铜柱凸块的平整度影响较大,而对铜柱凸块高度的均一性影响较小。相反,电镀设备对铜柱凸块的高度均一性的影响较大, 而对铜柱凸块的平整度影响较小。在三种有机添加剂中, ...
    • 征稿简则 

      未知作者 (《电化学》编辑部, 2022-07-28)
    • 第28卷第7期封面和目次 

      未知作者 (《电化学》编辑部, 2022-07-28)
    • 作者聚焦 

      未知作者 (《电化学》编辑部, 2022-07-28)
    • 特殊整平剂甲基橙在通孔电镀铜的应用 

      徐佳莹; 王守绪; 苏元章; 杜永杰; 齐国栋; 何为; 周国云; 张伟华; 唐耀; 罗毓瑶; 陈苑明; Jia-Ying Xu; Shou-Xu Wang; Yuan-Zhang Su; Yong-Jie Du; Guo-Dong Qi; Wei He; Guo-Yun Zhou; Wei-Hua Zhang; Yao Tang; Yu-Yao Luo; Yuan-Ming Chen (《电化学》编辑部, 2022-07-28)
      甲基橙具有两种基团,可以同时起到加速和抑制作用,可作为特殊的整平剂应用与通孔电镀铜实验中。通过分子动力学模拟和量子化学计算来表征甲基橙在通孔电镀铜中的作用,结果表明甲基橙可以很好地吸附在阴极表面并抑制铜的电沉积。 通过恒电流测试和循环伏安测试结果显示, 甲基橙由于同时具有磺酸基的去极化和其分子结构部分的极化作用, 形成协同分子内对铜加速还原和阻碍传质的竞争效应, 所以几乎不影响电位。在板厚孔径为10:1的通孔电镀铜实验中, ...
    • "电子电镀专辑"序言 

      Zhi-Dong Chen; Chong Wang; Wei He; Ming Li (《电化学》编辑部, 2022-07-28)
    • 电子功能外延薄膜的电沉积 

      黄葵; 黄容姣; 刘素琴; 何震; Kui Huang; Rong-Jiao Huang; Su-Qin Liu; Zhen He (《电化学》编辑部, 2022-07-28)
      电沉积作为一种在温和条件下从溶液中合成材料的技术已被广泛应用于在导体和半导体基底表面合成各种功能材料。电沉积一般由人为施加于基底的电刺激(如:施加电位/电流)来触发。这种电刺激通过氧化或还原靠近基底表面的溶液层内部的离子、 分子或配合物从而使该溶液层偏离其热力学平衡状态,随后引起目标产物在基底表面的沉积。在电沉积过程中, 许多实验参数都可能从不同的方面对沉积物的物化性质造成影响。迄今为止,已通过电沉积制备出多种单质(包括金属和非金属单质)、 ...
    • 电沉积纳米锥镍的生长机理及其性能的研究 

      倪修任; 张雅婷; 王翀; 洪延; 陈苑明; 苏元章; 何为; 陈先明; 黄本霞; 续振林; 李毅峰; 李能彬; 杜永杰; Xiu-Ren Ni; Ya-Ting Zhang; Chong Wang; Yan Hong; Yuan-Ming Chen; Yuan-Zhang Su; Wei He; Xian-Ming Chen; Ben-Xia Huang; Zhen-Lin Xu; Yi-Feng Li; Neng-Bin Li; Yong-Jie Du (《电化学》编辑部, 2022-07-28)
      本文通过恒电流沉积法在柔性覆铜基板上制备了具有纳米锥阵列结构的黑色镍层,制备的纳米锥镍的底部约为200 nm, 高度约为1 μm,且大小均一,分布致密。本文探讨了镍电沉积中电流密度和主盐浓度对纳米锥镍结构形貌的影响,结果表明低电流密度和高主盐浓度有利于纳米锥镍的形成。电沉积过程中保持镍离子的供应充足是锥镍结构产生的关键因素之一, 而高电流密度会影响镍离子浓度的浓差极化,从而影响锥镍的成核过程。温度、主盐浓度以及结晶调整剂的变化会导致镍颗 ...